2~ 6 inch 4° off-angulus P-type 4H-SiC substratus

Semicerae 2~6 digiti 4° off-anguli P-type 4H-SiC machinati sunt machinati ad necessitates crescentes magni faciendum potentiae et RF fabrica fabricatores. In 4° prope angulum orientatio efficit incrementum optimized epitaxiale, quod substratum facit fundamentum ideale pro range machinis semiconductoris, MOSFETs, IGBTs et diodis inclusis.

Hoc 2~6 inch 4° off-angulum P-type 4H-SiC substratum habet proprietates materiales optimas, inclusas conductivity altas scelerisque, praestantes electricae effectus, et praestantes stabilitatem mechanicam. In orientatione off-anguli densitatem micropipam adiuvat reducere et strata epitaxialium leviora promovet, quae critica est ad meliorem effectum et constantiam finalis fabricae semiconductoris.

Semicerae 2~6 pollicis 4° off-anguli P-type 4H-SiC subiectae praesto sunt in variis diametris, ab 2 pollices usque ad 6 pollices vndique, ut diversae fabricandi requisita occurrant. Substratae nostrae praecise machinantur ut gradus aequabiles dopinges et qualitates superficiei notas praebeant, ut unumquodque laganum occurrat specificationes strictae quae ad applicationes electronicas provectas requiruntur.

Semicera munus innovationis et qualitatis efficit ut noster 2~6 inch 4° off angulus P-type 4H-SiC substraverit constantem observantiam in amplis applicationibus a potestate electronicorum ad altas machinis frequentiam. Hoc productum solutionem certam praebet pro altera generatione industriae efficientis, magni operis semiconductoris, technologicae progressionis in industriis adiuvandis ut automotiva, telecommunicationes, energiae renovandae.