Carbide Pii genus est carbide synthetica cum moleculo SiC.Cum ageret, silica et carbo in calidis supra MM°C solent formari.Silius carbide theoreticam densitatem 3.18g/cm3 habet, duritiam Mohs quae adamantem sequitur, et microhardness 3300kg/mm3 inter 9.2 et 9.8.Ob duritiem suam altam et obdurationem resistentiae, qualitates caliditatis resistentiae habet et pro variis indumentis repugnantibus, corrosionibus resistentibus et partium mechanicarum calidissimae adhibetur.Novum genus technologiae ceramicae repugnans.
1° Proprietates chemicae.
(1) Oxidatio resistentia: Cum materia carbide pii ad 1300 ° C in aere calefacta est, pii dioxidis iacuit in superficie crystalli carbidi pii generari incipit.Crasso strato tutelae, carbida siliconis interna oxidizare pergit, ita ut carbida pii resistentia bene oxidationis habeat.Cum temperatura plus quam 1900K attingit (1627° C), silicon dioxidum tutelae cinematographicum laedi incipit, et oxidatio carbidi pii intenditur, ergo 1900K temperatura carbidi pii in atmosphaera oxidizing est laboratum.
(2) Acidum et alcali resistentia: ob partes cinematographicae dioxidis pii, carbide pii proprietates habet in munere cinematographici dioxidi pii.
2、 Physica et mechanica.
(1) Densitas: particula densitatis variorum crystallorum siliconum carbide valde proxima, vulgo 3.20g/mm3 censetur, et densitas carbidi pii abrasivorum naturalis stipatio est inter 1.2-1.6g/mm3, secundum particulam magnitudinem; particula magnitudo compositionis et figurae particulae magnitudo.
(2) Duritia: Mohs durities carbidi pii est 9.2, parva densitas Wessler est 3000-3300kg/mm2, durities Knopp 2670-2815kg/mm est, abrasiva altior quam corundum, adamas prope cubicum. boron nitride et boron carbide.
(3) Scelerisque conductivity: Pii carbide producta altam scelerisque conductivity, parvae scelerisque expansionem coefficiens, princeps scelerisque incursu resistentia, et materias refractorias qualitates altae sunt.
3° Proprietates electricae.
| Item | Unitas | Data | Data | Data | Data | Data |
| RBsic(sisic) | NBSiC | SSiC | RSiC | OSiC | ||
| SiC content | % | 85 | 76 | 99 | ≥99 | ≥90 |
| Liberum Pii content | % | 15 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Max ministerium temperatus | ℃ | 1380 | 1450 | 1650 | 1620 | 1400 |
| Density | g/cm^3 | 3.02 | 2.75-2.85 | 3.08-3.16 | 2.65-2.75 | 2.75-2.85 |
| Apertum poros | % | 0 | 13-15 | 0 | 15-18 | 7-8 |
| Tendens vires 20℃ | Mpa | 250 | 160 | 380 | 100 | / |
| Tendens robur 1200℃ | Mpa | 280 | 180 | 400 | 120 | / |
| Modulus elasticitatis 20℃ | Gpa | 330 | 580 | 420 | 240 | / |
| Modulus elasticitatis 1200℃ | Gpa | 300 | / | / | 200 | / |
| Scelerisque conductivity 1200℃ | W/mk | 45 | 19.6 | 100-120 | 36.6 | / |
| Coefficiens thermalexpansion | K^-lx10^-8 | 4.5 | 4.7 | 4.1 | 4.69 | / |
| HV | kg/m^m2 | 2115 | / | 2800 | / | / |
