Semicerasuperbus est ut sisterent30mm Aluminium Nitride Wafer Substratum, materia prima ordi- nis machinata ut occurratur strictioribus postulationibus applicationum electronicarum recentiorum et optoelectronicarum. Aluminium Nitride (AlN) subiectorum nominantur ob praecipuas possessiones scelerisque conductivity et electrica insulationis, easque optimas electiones pro summus faciendo machinis facit.
Features clavis:
• Eximia Scelerisque Conductivity: The30mm Aluminium Nitride Wafer Substratumgloriatur scelerisque conductivitatem usque ad 170 W/mK, insigniter altiorem quam ceteras materias subiectas, ut efficientem caloris dissipationem in applicationibus summus potentiae efficiat.
•Princeps Electrical Insulation: Cum excellentibus proprietatibus electricis insulating, substratum minimizat crucis-loquium et impedimentum insigne, faciens id specimen pro RF et proin applicationibus.
•Mechanica virtus: The30mm Aluminium Nitride Wafer SubstratumSuperiores vires mechanicas et stabilitatem praebet, ut diuturnitatem et firmitatem etiam sub condicionibus operandis strictioris.
•Applications versatile: Hoc subiectum perfectum est ad usum in potentia LEDs, laser diodes, et RF componentibus, firmum et firmum praebens fundamentum pro inceptis postulandis tuis.
•Subtilitas Fabricatio: Semicera efficit ut unumquodque laganum summa cum cura substratum fictum sit, offerens uniformem crassitudinem et qualitatem superficiei obviam exigendis signis electronicarum progressarum.
Efficaciam et firmitatem machinarum tuarum cum Semicera's maximize30mm Aluminium Nitride Wafer Substratum. Substratae nostrae ordinantur ad superioram observantiam liberandam, curantes ut systemata electronica et optoelectronic suo optimo operentur. Fiducia Semicera de materiis incisis quae industriam in qualitate et innovatione ducunt.
| Items | Productio | Inquisitionis | phantasma |
| Crystal Parameters | |||
| Polytypus | 4H | ||
| Superficiem sexualis errore | <11-20 >4±0.15° | ||
| Electrical Parameters | |||
| Dopant | n-genus Nitrogenium | ||
| Resistentia | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanica Parametri | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Crassitudo | 350±25 μm | ||
| Prima plana propensionis | [1-100]±5° | ||
| Prima plana longitudo | 47.5±1.5mm | ||
| Secundarium plana | Nullus | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arcum | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Frons (Si-face) asperitas (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structure | |||
| Micropipe density | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallum immunditiae | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ante Quality | |||
| Front | Si | ||
| Superficiem metam | Si-face CMP | ||
| Particulas | ≤60ea/laganum (size≥0.3μm) | NA | |
| Exasperat | ≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diameter | NA |
| Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione | Nullus | NA | |
| Ora eu / indents / fractura / hex p | Nullus | ||
| Polytypus areis | Nullus | Cumulativo area≤20% | Cumulativo area≤30% |
| Ante laser vestigium | Nullus | ||
| Back Quality | |||
| Retro metam | C-faciem CMP | ||
| Exasperat | ≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
| Retro defectus (ore eu / indents) | Nullus | ||
| Retro asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Back laser notati | I mm (a summo ore) | ||
| Ore | |||
| Ore | Chamfer | ||
| Packaging | |||
| Packaging | Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging | ||
| *Nota "NA" significat petitionem nullam Items not mentioned may refer to SEMI-STD. | |||
