Semicera 3C-SiC Wafer Substratae machinatae sunt ut validum suggestum praebeant potentiae electronicarum proximae generationis et machinis frequentiae summus. Cum superiores possessiones thermarum et notas electricas, hae subiectae ordinantur ad exigentias hodiernae technologiae requisitis.
3C-SiC (Silicon Carbide cubica) structura Semicera Wafer Substratorum singularia commoda praebet, inclusa conductivity superiores scelerisque et coëfficientis ampliationis minoris thermarum comparatarum ad alias materias semiconductores. Ex quo fit ut egregiam electionem habeant ad cogitationes extremas temperaturas et condiciones summus potentiae operantes.
Cum magna naufragii electrici intentione et stabilitate chemica superior, Semicera 3C-SiC Wafer Substratae diuturnae observantiae et constantiae invigilant. Hae proprietates criticae in applicationibus sunt ut radar-frequentia alta, in solido statu lucendi, et potentia inverters, ubi efficacia et durabilitas praecipua sunt.
Demissio semicerae qualitatis relucet in processu anxio fabricandi sui 3C-SiC Wafer Substrat, ut uniformitatem et constantiam per omnem massam curet. Haec praecisio ad altiorem observantiam et longitudinem machinarum electronicarum illis aedificatarum confert.
Semicera 3C-SiC Wafer Substrates eligendo, artifices aditus ad materiam incisionis accessum praebent, quae incrementum dat minorum, citius, efficaciorum electronicarum partium. Semicera pergit innovationem technologicam fovere, solutiones certas praebens quae postulatis evolutionis semiconductoris industriae occurrunt.
| Items | Productio | Inquisitionis | phantasma |
| Crystal Parameters | |||
| Polytypus | 4H | ||
| Superficiem sexualis errore | <11-20 >4±0.15° | ||
| Electrical Parameters | |||
| Dopant | n-genus Nitrogenium | ||
| Resistentia | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanica Parametri | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Crassitudo | 350±25 μm | ||
| Prima plana propensionis | [1-100]±5° | ||
| Prima plana longitudo | 47.5±1.5mm | ||
| Secundarium plana | Nullus | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arcum | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Frons (Si-face) asperitas (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structure | |||
| Micropipe density | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallum immunditiae | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ante Quality | |||
| Front | Si | ||
| Superficiem metam | Si-face CMP | ||
| Particulas | ≤60ea/laganum (size≥0.3μm) | NA | |
| Exasperat | ≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diameter | NA |
| Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione | Nullus | NA | |
| Ora eu / indents / fractura / hex p | Nullus | ||
| Polytypus areis | Nullus | Cumulativo area≤20% | Cumulativo area≤30% |
| Ante laser vestigium | Nullus | ||
| Back Quality | |||
| Retro metam | C-faciem CMP | ||
| Exasperat | ≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
| Retro defectus (ore eu / indents) | Nullus | ||
| Retro asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Back laser notati | I mm (a summo ore) | ||
| Ore | |||
| Ore | Chamfer | ||
| Packaging | |||
| Packaging | Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging | ||
| *Nota "NA" significat petitionem nullam Items not mentioned may refer to SEMI-STD. | |||
