Semicera's 4", 6", 8" N-typus SiC Ingots perrumpere in materias semiconductores repraesentant, ut occurrerent exigentiis crescentibus systematum electronicorum modernorum et potentiarum. Haec instrumenta firmum et stabile fundamentum praebent pro variis applicationibus semiconductoribus, optimalibus procurandis. perficiendi et consequat.
Nostri N-type SiC ingots gignuntur utentes processus fabricandi provectos qui augent eorum electricam conductivity et scelerisque stabilitatem. Hoc facit ut ideales applicationes summus potentiae et frequentiae frequentiae, ut inverters, transistores, aliaeque potentiae electronicarum machinarum ubi efficientia et commendatio praecipua sunt.
Praecisa haec donatio efficit ut congruenter et iterabilem praebeant effectum. Haec constantia critica est tincidunt et artifices qui fines technologiarum in agris impellunt sicut aerospace, automotive, et telecommunicationis. Semicerae Sic ingots efficere possunt machinis producendis quae sub extrema condicione efficienter operantur.
Semicerae N-typus eligens Ingots significat materias integrantes quae altas temperaturas et alta electrica onera facile tractare possunt. Haec adita aptissima sunt ad partes creandas, quae optimam administrationem scelerisque ac frequentiam operationem requirunt, sicut RF ampliatores ac moduli potentiae.
Per "semicera" 4", 6" et 8" N-typus Ingots optando, collocas in productum quod eximias materiales proprietates componit cum praecisione et constantia quae petitur ab incisione technologiarum semiconductorum. Semicera industriam ducere pergit. praebens solutiones porttitor, quae progressum fabrica fabricandi electronic pellunt.
| Items | Productio | Inquisitionis | phantasma |
| Crystal Parameters | |||
| Polytypus | 4H | ||
| Superficiem sexualis errore | <11-20 >4±0.15° | ||
| Electrical Parameters | |||
| Dopant | n-genus Nitrogenium | ||
| Resistentia | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanica Parametri | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Crassitudo | 350±25 μm | ||
| Prima plana propensionis | [1-100]±5° | ||
| Prima plana longitudo | 47.5±1.5mm | ||
| Secundarium plana | Nullus | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arcum | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Frons (Si-face) asperitas (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structure | |||
| Micropipe density | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallum immunditiae | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ante Quality | |||
| Front | Si | ||
| Superficiem metam | Si-face CMP | ||
| Particulas | ≤60ea/laganum (size≥0.3μm) | NA | |
| Exasperat | ≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diameter | NA |
| Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione | Nullus | NA | |
| Ora eu / indents / fractura / hex p | Nullus | ||
| Polytypus areis | Nullus | Cumulativo area≤20% | Cumulativo area≤30% |
| Ante laser vestigium | Nullus | ||
| Back Quality | |||
| Retro metam | C-faciem CMP | ||
| Exasperat | ≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
| Retro defectus (ore eu / indents) | Nullus | ||
| Retro asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Back laser notati | I mm (a summo ore) | ||
| Ore | |||
| Ore | Chamfer | ||
| Packaging | |||
| Packaging | Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging | ||
| *Nota "NA" significat petitionem nullam Items not mentioned may refer to SEMI-STD. | |||
