Semicerae 4" 6" Semi-Insulating SiC Substratum est materia alta qualitas quae ad restrictas requisita RF ac potentiae applicationes adveniat. Substratum optimam scelerisque conductivity componit et altam intentionem naufragii carbidi pii cum proprietatibus semi-insulantibus, quod optimam electionem facit ad excogitandas semiconductores progressus progressas.
4" 6" Semi-Insulating SiC Substratum diligenter fabricatum est ut altam materiam puritatis ac semi-insulating perficiendi constet. Hoc efficit ut subiectum necessariam segregationem electricam in RF artificiis praebeat ut amplificatores et transistores, dum etiam efficientiam thermarum ad applicationes altae potentiae requisitas praebens. Effectus est versatilis subiectae quae in amplis effectibus electronicis maximis faciendis adhiberi potest.
Semicera cognoscit momentum praestantiae certae, defectus liberae subiectae pro applicationibus semiconductoribus criticis. Noster 4" 6" Semi-Insulating SiC Substratum nascitur utens artificiosam fabricandi provectam, quae vitia cristalli minuunt et uniformitatem materialem emendant. Inde factum est ut cum aucta operatione, stabilitate et vita corporis fabricam machinis sustineret.
Semicera munus qualitatis efficit ut nostrum 4" 6" Semi-Insulating SiC Substratum certam et constantem observantiam per amplis applicationibus liberat. Utrum enucleares altum frequentiam machinas vel solutiones energiae efficaciae potestatis, semi-insulantes SiC subiecta fundamenta praebent successu electronicarum generationis sequentis.
Basic parametri
| Magnitudo | 6-inch | 4-inch |
| Diameter | 150.0mm+0mm/-0.2mm | 100.0mm+0mm/-0.5mm |
| Superficiem propensionis | {0001}±0.2° | |
| Prima Flat propensionis | / | <1120>±5° |
| SecondaryFlat propensionis | / | Pii faciem sursum:90° CW e Primo flat士5° |
| Prima Flat Longitudo | / | 32.5 mm 士2.0 mm |
| Secundarium Flat Longitudo | / | 18.0 mm士2.0 mm |
| SCARIFICATIO propensionis | <1100>±1.0° | / |
| SCARIFICATIO propensionis | 1.0mm+0.25 mm/-0.00 mm | / |
| SCARIFICATIO Anglus | 90°+5°/-1° | / |
| Crassitudo | 500.0um士25.0um | |
| Conductive Type | Semi-insulating | |
Crystal qualis notitia
| ltem | 6-inch | 4-inch |
| Resistentia | ≥1E9Q·cm | |
| Polytypus | Nemo licet | |
| Micropipe densitas | ≤0.5/cm2 | ≤0.3/cm2 |
| Hex Plates per altum intensio lumen | Nemo licet | |
| Visual Carbon Inclusions by high | Cumulativo area≤0.05% | |
Resistivity－Exertus a Non-contactus resistentia.
Micropipe densitas
