Semicerae 4 Inch High Purity Semi-Insulating (HPSI) SiC Duplex latus politum laganum Substratum ficti sunt obviam exigendis postulatis industriae semiconductoris. Hae subiectae eximia planitudine et puritate designantur, offerentes tribunal optimale ad incisionem electronicarum machinarum.
Hae lagana HPSI SiC distinguuntur a suis praestantioribus scelerisque conductivity et electricis insulis proprietatibus, quibus optimam electionem facit ad applicationes summus frequentia et summus potentiae. Expolitio lateralis processus minimam superficiei asperitatem efficit, quae pendet ad augendam fabricam perficiendi et longitudinis.
Princeps puritas Semicerae's SiC uncta extenuat defectus et immunditias, ducens ad superiores cede rates et fabrica constantiam. Substratae hae aptae sunt ad amplis applicationibus, inter proin machinas, electronicas potestates, ac technologias ducentes, ubi praecisio et durabilitas sunt essentiales.
Cum umbilico in innovatione et qualitate, Semicera technicis fabricandis provectis utitur ad lagana producendas quae durioribus postulationibus electronicorum modernorum occurrent. Duplex politio non solum vires mechanicas auget sed etiam melius integrationem cum aliis materiis semiconductoribus adiuvat.
Eligendo Semicerae 4 Inch High Purity Semi-Insulating HPSI SiC Duplex latus politum Wafer Substratum, artifices utilitates augendae scelerisque administrationis et electricae insulationis levant, viam sternens ad progressionem machinarum electronicarum efficaciorum et potentiorum. Semicera industriam ducere pergit cum suo officio ad qualitatem et progressionem technologicam.
| Items | Productio | Inquisitionis | phantasma |
| Crystal Parameters | |||
| Polytypus | 4H | ||
| Superficiem sexualis errore | <11-20 >4±0.15° | ||
| Electrical Parameters | |||
| Dopant | n-genus Nitrogenium | ||
| Resistentia | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanica Parametri | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Crassitudo | 350±25 μm | ||
| Prima plana propensionis | [1-100]±5° | ||
| Prima plana longitudo | 47.5±1.5mm | ||
| Secundarium plana | Nullus | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arcum | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Frons (Si-face) asperitas (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structure | |||
| Micropipe density | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallum immunditiae | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ante Quality | |||
| Front | Si | ||
| Superficiem metam | Si-face CMP | ||
| Particulas | ≤60ea/laganum (size≥0.3μm) | NA | |
| Exasperat | ≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diameter | NA |
| Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione | Nullus | NA | |
| Ora eu / indents / fractura / hex p | Nullus | ||
| Polytypus areis | Nullus | Cumulativo area≤20% | Cumulativo area≤30% |
| Ante laser vestigium | Nullus | ||
| Back Quality | |||
| Retro metam | C-faciem CMP | ||
| Exasperat | ≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
| Retro defectus (ore eu / indents) | Nullus | ||
| Retro asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Back laser notati | I mm (a summo ore) | ||
| Ore | |||
| Ore | Chamfer | ||
| Packaging | |||
| Packaging | Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging | ||
| *Nota "NA" significat petitionem nullam Items not mentioned may refer to SEMI-STD. | |||
