Semicerae 4 Inch N-type SiC Substratae fabricatae sunt ut signa exigendis semiconductoris industriae occurrerent. Haec subiecta fundamenta summus perficientur praebent pro amplis applicationibus electronicis, eximiis conductivitatibus et proprietatibus scelerisque.
N-typus doping horum SiC subiectorum electricam conductivity auget, eas maxime idoneas ad altas potentias et ad frequentiam applicationum. Haec proprietas permittit ad operationem machinarum efficientem sicut diodes, transistores et amplificatores, ubi damnum energiae obscuratis pendet.
Semicera status-of-artis processus fabricandi utitur ut singula subiecta exhibeant excellentem qualitatem et uniformitatem. Haec praecisio critica est ad applicationes in potentia electronicarum, proin machinarum, aliarumque technologiarum quae certas effectus sub extrema condicione exigunt.
Semicerae genus N-typus SiC incorporare in lineam productionis tuae subiectae significat utiles materiae quae calorem superiorem dissipationem et stabilitatem electricam praebent. Haec subiecta sunt idealia ad componentes creandi, qui diuturnitatem et efficientiam requirunt, ut potentiae systemata conversionis et RF amplificatoria.
Eligendo Semicerae 4 Inch N-type SiC Substratum, collocas in re producta quae porttitor materiam scientiam subtili artificio coniungit. Semicera industriam ducere pergit providendo solutiones quae progressionem technologiae semiconductoris incisurae sustinent, altam observantiam et constantiam procurans.
| Items | Productio | Inquisitionis | phantasma |
| Crystal Parameters | |||
| Polytypus | 4H | ||
| Superficiem sexualis errore | <11-20 >4±0.15° | ||
| Electrical Parameters | |||
| Dopant | n-genus Nitrogenium | ||
| Resistentia | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanica Parametri | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Crassitudo | 350±25 μm | ||
| Prima plana propensionis | [1-100]±5° | ||
| Prima plana longitudo | 47.5±1.5mm | ||
| Secundarium plana | Nullus | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arcum | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Frons (Si-face) asperitas (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structure | |||
| Micropipe density | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallum immunditiae | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ante Quality | |||
| Front | Si | ||
| Superficiem metam | Si-face CMP | ||
| Particulas | ≤60ea/laganum (size≥0.3μm) | NA | |
| Exasperat | ≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diameter | NA |
| Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione | Nullus | NA | |
| Ora eu / indents / fractura / hex p | Nullus | ||
| Polytypus areis | Nullus | Cumulativo area≤20% | Cumulativo area≤30% |
| Ante laser vestigium | Nullus | ||
| Back Quality | |||
| Retro metam | C-faciem CMP | ||
| Exasperat | ≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
| Retro defectus (ore eu / indents) | Nullus | ||
| Retro asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Back laser notati | I mm (a summo ore) | ||
| Ore | |||
| Ore | Chamfer | ||
| Packaging | |||
| Packaging | Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging | ||
| *Nota "NA" significat petitionem nullam Items not mentioned may refer to SEMI-STD. | |||
