Semicerae 4"6" Alta Puritas Semi-Insulating SiC Ingots ordinantur ut signa exigendis semiconductoris industriae occurrant. Haec instrumenta gignuntur cum umbilico ad puritatem et constantiam, ut eos optimam electionem efficiant ad altae potentiae ac frequentiae applicationes ubi praecipua effectus est.
Proprietates singulares harum ingotiorum SiC, inclusa conductivity altae scelerisque et resistentiae electricae praestantissimae, eas aptiores faciunt ad usum in potentia electronicarum et proin machinarum. Eorum natura semi-insulatio permittit calorem efficacem dissipationis et minimae electricae impedimenti, ducens ad componentia efficaciora et certiora.
Semicera processus civitatis arte fabricandi utitur ad instrumenta producenda eximia crystalli qualitate et uniformitate. Haec praecisio efficit ut singuli regulae adhibeantur in applicationibus sensitivis, ut summus frequentia amplificatoria, laser diodes, aliaque artificia optoelectronic.
Praesto in utraque 4-uncia et 6-uncia magnitudinum, semicerae ingotiorum flexibilitatem praebent variis squamae productionis necessariae et technologicae requisita. Utrum ad investigationem et progressionem vel ad massam productionem, haec instrumenta executionem et vetustatem reddunt quam systemata electronic moderna postulant.
Semicera altam puritatem semi-insulantem SiC Ingots eligendo, collocas in re producta quae scientias materiales sine singulari fabrica peritia componit. Semicera dedicata est ad innovationem et incrementum semiconductoris industriae sustentandam, materias offerens quae evolutioni incisionis electronicarum machinarum efficiant.
| Items | Productio | Inquisitionis | phantasma |
| Crystal Parameters | |||
| Polytypus | 4H | ||
| Superficiem sexualis errore | <11-20 >4±0.15° | ||
| Electrical Parameters | |||
| Dopant | n-genus Nitrogenium | ||
| Resistentia | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanica Parametri | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Crassitudo | 350±25 μm | ||
| Prima plana propensionis | [1-100]±5° | ||
| Prima plana longitudo | 47.5±1.5mm | ||
| Secundarium plana | Nullus | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arcum | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Frons (Si-face) asperitas (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structure | |||
| Micropipe density | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallum immunditiae | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ante Quality | |||
| Front | Si | ||
| Superficiem metam | Si-face CMP | ||
| Particulas | ≤60ea/laganum (size≥0.3μm) | NA | |
| Exasperat | ≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diameter | NA |
| Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione | Nullus | NA | |
| Ora eu / indents / fractura / hex p | Nullus | ||
| Polytypus areis | Nullus | Cumulativo area≤20% | Cumulativo area≤30% |
| Ante laser vestigium | Nullus | ||
| Back Quality | |||
| Retro metam | C-faciem CMP | ||
| Exasperat | ≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
| Retro defectus (ore eu / indents) | Nullus | ||
| Retro asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Back laser notati | I mm (a summo ore) | ||
| Ore | |||
| Ore | Chamfer | ||
| Packaging | |||
| Packaging | Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging | ||
| *Nota "NA" significat petitionem nullam Items not mentioned may refer to SEMI-STD. | |||
