Semicerae 6 Unciae N-type SiC Wafer stat in fronte technologiae semiconductoris. Hoc laganum ad optimalem observantiam fictus excellit potentia, alta frequentia, et applicationes altae temperaturae, necessariae ad electronicas machinas provectae.
Nostrae 6 Inch N-type SiC laganum notae mobilitatis altae electronicae et gravis obsistentiae, quae sunt parametri critici ad machinas potentiarum sicut MOSFETs, Diodes, et alia elementa. Hae proprietates energiae conversionis et caloris generationis imminutae efficientes efficiunt, ut perficiendum et spatium systematum electronicarum crescant.
Rigororis qualitas processus ditionis semicerae curare ut singula lagana SiC optimam superficiei planitiam et minimas defectus conservant. Haec accurata attentionis ad singillatim invigilat ut lagana nostra restrictissimis exigentiis industriarum occurrant sicut autocinetivi, aerospace et telecommunicationum.
Praeter proprias electricas superiores proprietates, N-type SiC laganum robustum scelerisque stabilitatem et resistentiam calidis temperaturis praebet, eamque aptam facit pro ambitibus ubi materias conventionales deficiunt. Haec facultas maxime valet in applicationibus ad altum frequentiam et altum potentiarum operationum implicationem.
Eligendo Semicerae 6 Unciae N-type SiC Wafer, collocas in producto repraesentans pinnaculum innovationis semiconductoris. Commissi sumus ut caudices structurae ad malleolum machinis praebeant, ut socii nostri in variis industriis accessum habeant ad optimas materias ad earum technologicas progressiones.
| Items | Productio | Inquisitionis | phantasma |
| Crystal Parameters | |||
| Polytypus | 4H | ||
| Superficiem sexualis errore | <11-20 >4±0.15° | ||
| Electrical Parameters | |||
| Dopant | n-genus Nitrogenium | ||
| Resistentia | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanica Parametri | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Crassitudo | 350±25 μm | ||
| Prima plana propensionis | [1-100]±5° | ||
| Prima plana longitudo | 47.5±1.5mm | ||
| Secundarium plana | Nullus | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arcum | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Frons (Si-face) asperitas (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structure | |||
| Micropipe density | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallum immunditiae | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ante Quality | |||
| Front | Si | ||
| Superficiem metam | Si-face CMP | ||
| Particulas | ≤60ea/laganum (size≥0.3μm) | NA | |
| Exasperat | ≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diameter | NA |
| Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione | Nullus | NA | |
| Ora eu / indents / fractura / hex p | Nullus | ||
| Polytypus areis | Nullus | Cumulativo area≤20% | Cumulativo area≤30% |
| Ante laser vestigium | Nullus | ||
| Back Quality | |||
| Retro metam | C-faciem CMP | ||
| Exasperat | ≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
| Retro defectus (ore eu / indents) | Nullus | ||
| Retro asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Back laser notati | I mm (a summo ore) | ||
| Ore | |||
| Ore | Chamfer | ||
| Packaging | |||
| Packaging | Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging | ||
| *Nota "NA" significat petitionem nullam Items not mentioned may refer to SEMI-STD. | |||
