Semicerae 6 Inch Semi-Insulating HPSI SiC Wafers ordinantur ad severas exigentias technologiae hodiernae semiconductoris. Cum eximia puritate et constantia, haec lagana pro certo fundamento sunt ad incrementum electronicarum efficientiae excolendae.
Hae lagana HPSI SiC notae sunt propter praestantes conductivity et electrica insulationes suas, quae criticae sunt ad optimizing exsecutionem machinarum potentiarum et circuitus frequentiae summus. Semi-insulantes proprietates adiuvant in impedimento electrica obscurando et efficaciam fabrica maxima.
Summus qualitas processus fabricandi a Semicera adhibitus efficit ut unumquodque laganum uniformem crassitudinem et defectus superficies minimas habeat. Haec praecisio necessaria est ad applicationes provectas, sicut adinventiones radiophonicae frequentiae, inverters potentiae, et systemata ducti, ubi effectus et durabilitas factores praecipui sunt.
Semicera lagana in statu-of-artes productionis per leveragingem praebet, quae non solum conveniant, sed signa industriae excedunt. Magnitudo 6 inch offert flexibilitatem in productione ascendendo, praebens applicationes tam investigationis quam commercialium in regione semiconductoris.
SEMICERAM SELECTIONEM SEMICERAM VI UNCIA SEMI-INSULATIONEM HPSI SiC Wafers collocare significat in productum quod qualitatem et effectum convenientem liberat. Haec lagana pars semicerae est officium promovendi facultates technologiae semiconductoris per materias ametas et artificia sollicita.
| Items | Productio | Inquisitionis | phantasma |
| Crystal Parameters | |||
| Polytypus | 4H | ||
| Superficiem sexualis errore | <11-20 >4±0.15° | ||
| Electrical Parameters | |||
| Dopant | n-genus Nitrogenium | ||
| Resistentia | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanica Parametri | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Crassitudo | 350±25 μm | ||
| Prima plana propensionis | [1-100]±5° | ||
| Prima plana longitudo | 47.5±1.5mm | ||
| Secundarium plana | Nullus | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arcum | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Frons (Si-face) asperitas (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structure | |||
| Micropipe density | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallum immunditiae | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ante Quality | |||
| Front | Si | ||
| Superficiem metam | Si-face CMP | ||
| Particulas | ≤60ea/laganum (size≥0.3μm) | NA | |
| Exasperat | ≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diameter | NA |
| Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione | Nullus | NA | |
| Ora eu / indents / fractura / hex p | Nullus | ||
| Polytypus areis | Nullus | Cumulativo area≤20% | Cumulativo area≤30% |
| Ante laser vestigium | Nullus | ||
| Back Quality | |||
| Retro metam | C-faciem CMP | ||
| Exasperat | ≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
| Retro defectus (ore eu / indents) | Nullus | ||
| Retro asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Back laser notati | I mm (a summo ore) | ||
| Ore | |||
| Ore | Chamfer | ||
| Packaging | |||
| Packaging | Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging | ||
| *Nota "NA" significat petitionem nullam Items not mentioned may refer to SEMI-STD. | |||
