Semicerae 8 Unciae N-typus SiC Wafers in fronte innovationis semiconductoris sunt, solidam basim praebentes ad evolutionem summi operis electronicarum machinarum. Haec lagana ordinantur ut exigentiis applicationum electronicorum modernorum, a potentia electronicorum ad summos circuitus frequentiae occurrentes.
N-type doping in his lagana SiC eorum conductivity electricae auget, ut specimen amplis applicationum, inclusa diodi, transistoribus et amplificantibus potentiam. Superior conductivity efficit minimam industriam amissionem et operationem efficientem, quae criticae sunt ad machinas in frequentiis et in gradibus potentiae operantibus.
Semicera artificiis fabricandis provectis utitur ad lagana SiC producenda cum eximia superficie aequabilitate et minimis defectibus. Hic praecisio gradus est necessarius applicationum ad congruentem effectum et diuturnitatem, sicut in industria aerospace, automotive, et telecommunicationum socialium.
Semicerae incorporandi 8 Unciae N-type SiC Wafers in linea productionis tuae fundamentum praebet ad partes creandas, quae duras ambitus et temperaturas altas sustinere possunt. Haec lagana perfecta sunt ad applicationes in conversione potentia, RF technologia, et alia quaerunt agros.
Eligens Semiceras 8 Unciae N-type SiC Wafers significat collocare in productum quod summus qualitas materiae scientia cum certa machinatione componit. Semicera committitur ut facultates semiconductoris technologiarum progrediendo, solutiones offerentes quae efficientiam et fidem electronicarum cogitationum tuarum augeant.
| Items | Productio | Inquisitionis | phantasma |
| Crystal Parameters | |||
| Polytypus | 4H | ||
| Superficiem sexualis errore | <11-20 >4±0.15° | ||
| Electrical Parameters | |||
| Dopant | n-genus Nitrogenium | ||
| Resistentia | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanica Parametri | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Crassitudo | 350±25 μm | ||
| Prima plana propensionis | [1-100]±5° | ||
| Prima plana longitudo | 47.5±1.5mm | ||
| Secundarium plana | Nullus | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arcum | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Frons (Si-face) asperitas (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structure | |||
| Micropipe density | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallum immunditiae | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ante Quality | |||
| Front | Si | ||
| Superficiem metam | Si-face CMP | ||
| Particulas | ≤60ea/laganum (size≥0.3μm) | NA | |
| Exasperat | ≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diameter | NA |
| Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione | Nullus | NA | |
| Ora eu / indents / fractura / hex p | Nullus | ||
| Polytypus areis | Nullus | Cumulativo area≤20% | Cumulativo area≤30% |
| Ante laser vestigium | Nullus | ||
| Back Quality | |||
| Retro metam | C-faciem CMP | ||
| Exasperat | ≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
| Retro defectus (ore eu / indents) | Nullus | ||
| Retro asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Back laser notati | I mm (a summo ore) | ||
| Ore | |||
| Ore | Chamfer | ||
| Packaging | |||
| Packaging | Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging | ||
| *Nota "NA" significat petitionem nullam Items not mentioned may refer to SEMI-STD. | |||
