Tantalum Carbide (TaC) Coated Graphite Cover

Brevis descriptio:

Tantalum carbide efficiens est progressus technologiae superficies efficiens, quae materia carbida tantalum utitur ad duram, obsistens et corrosio-resistentem iacuit in superficie substrato formando. Haec membrana egregias proprietates habet quae insigniter augent materiae duritiem, caliditas resistentiae et resistentiae chemicae, dum minuendo frictionem et indumentum. Tantalum carbidum tunicarum in variis campis late adhibentur, inclusis fabricandis industrialibus, aerospace, autocinetis machinationibus et instrumentis medicinae, ad vitam materialem extendere, efficientiam producendi emendare ac sustentationem gratuita reducere. Sive superficies metallicas a corrosione tutans vel augendo indumentum resistentiae et oxidationis resistentiae partium mechanicarum, tantalum carbidum tunicarum varietates applicationum solutionem certam praebent.


Product Detail

Product Tags

Semicera tantalum carbidi speciali (TaC) coatings variis componentibus et vectoribus praebet.Semicera ducens processum efficiens efficit tantalum carbidam (TaC) coatings ut altam puritatem, caliditatem stabilitatem et altam tolerantiam chemicae efficiat, productum meliorando qualitatem SIC/GAN crystallorum et epi stratorum (Graphite obductis susceptor TaC) et vitam clavium reac- tium extendere. Usus Tantali carbide TaC coating est problema extremam solvendi et qualitatem cristalli incrementi melioris, et Semicera Semicera technologiam technologiam tantalum carbidam efficiens (CVD) ad gradum internationalem provectum attingens.

 

Post annos evolutionis Semicera technicae artis vicitCVD TaCcum communi studio R&D department. Vitia in processu uncta SiC uncta facile occurrunt, sed post usuraTacdifferentia, significans. Infra comparatio lagana cum taC et sine TaC, nec non Simicerae partes cristalli unius

_20240227150045

apud et sine tac

_2024022715053

Post usura TAC (ius)

Praeterea vita servitus productorum Semicerae TaC efficiens longior est et magis resistens caliditati quam tunicae SiC. Post longum tempus datae mensurae laboratorium, noster TaC diu laborare potest Celsius maximo 2300 graduum. Nonnulla exempla e nostris sunt.

_20240227145010

(a) Schematica diagramma SiC unica crystalli ingot crescens fabrica per PVT methodum (b) Top TaC semen bracket obductis (including semen SiC) (c) TAC-coated graphite anulus

ZDFVzCFV
Praecipuum pluma
Locus Semicera Opus
Locus operis semicera 2
Apparatus armorum
Rhoncus processus, purgatio chemica, CVD coating
Nostra religio

  • Priora:
  • Next: