Nostra corporatio post inchoationem, solutionem optimam ac vitam organizationem continenter respicit, technologiam creationis continenter auget, mercium bonarum qualitatem auget et continenter negotiationem totalem qualitatum administrationis corroborat, stricte servato cum norma nationali ISO 9001: 2000 pro Sinis OEM Direct Sourse pro Oxidation Resisdant Graphite Crucibilis/Navis, solutiones qualitates et turmas phantasticas ad crimina infestantibus praestabimus.Committitur beneficium a provisoribus nostris comprehensivis per contactum nos hodie.
Nostra corporatio ab initio, solutionem optimam ac vitam organizationem continenter respicit, technologiam creationis continenter auget, mercium bonarum qualitatem auget ac negotia totalem qualitatem administrationis continenter corroborat, stricte servato cum norma nationali ISO 9001: 2000 pro utendoChina Graphite Foundry Crucible and Carbon Graphite Crucible, Customer satisfactionis finis primus est.Nostra missio est qualitatem superlativam persequi, continuam facere progressionem.Te sincere suscipimus, ut una nobiscum proficias, et simul futurum prosperum componas.
Silius carbide novum genus ceramicorum est magno sumptu perficiendi et praestantia materiarum proprietatum.Ob features sicut altae roboris et duritiae, caliditas resistentiae, magna conductivity et chemica corrosio scelerisque resistentia, Silicon Carbide omnia media chemica fere sustinere potest.Ideo, SIC late utuntur in fodienda olei, chemica, machinatione et airspace, etiam energia nucleari et militari, peculiares suas postulationes in SIC habent.Aliquid normali applicatione offerre possumus annulos obsignantes ad sentinam, valvam et armaturam tutelarem etc.
Possumus designare et fabricare secundum dimensiones specificas cum bona qualitate et rationabili tempore libera.
commoda:
Princeps caliditas oxidationis resistentia
Corrosion resistentia praeclara
Bonum Abrasionis resistentia
Princeps coefficiens caloris conductivity
Levitas, humilis densitas
Alta duritia
Lorem amet.
Applicationes:
-War repugnans Field: bushing, lamina, sandblasting COLLUM, cyclum oblinit, dolium stridor, etc...
-High Temperature Field: siC Slab, Exstinguitur Fornax Tubus, Radiant Tube, Fusum, Calefaciens Elementum, Rollerus, Radius, Calor Commutator, Frigidus Aeris Pipe, Exuro Nozzle, Thermocouple Tubus, SiC Navis, Kiln Car Structura, Setter, etc.
-Military Bulletproof Field
-Silicon Carbide Semiconductor: cymba lagana SiC, sic chuck, sic paxillum, sic cassette, sic diffusio tubi, laganum furca, patella suctio, guideway, etc.
-Silicon Carbide Sigillum Campi: omnia genera signandi anulum, portantes, frutices, etc.
- Campus Photovoltaicus: Cantilever Paddle, Molendum Ferocactus, Silicon Carbide Rollerus, etc.
-Lithium Pugna Field
Parametri technicae:
Materia Datasheet
| Material | R-SiC |
| 使用温度Winging temperatus (°C) | MDC°C (氧化气氛Oxidizing environment) MDCC°C (还原气氛Reducing environment) |
| SiC含量SiC content (%) | > 99 |
| Si Free Si contentus (%) | < 0.1 |
| mole densitatis (g/cm3) | 2.60-2.70 |
| 气孔率Apparent poros (%) | < 16 |
| vi opprimendi (MPa) | > 600 |
| Frigus inflexio vi (MPa) | 80-90 (20°C) |
| Hot vires tendentes (MPa) | 90-100 (1400°C) |
| 热膨胀 系数 Scelerisque dilatatio coefficiens @ MD°C (10-6/°C) | 4.70 |
| 导热系数Scelerisque conductivity @ MCC°C (W / m • K) | 23 |
| Modulus elasticus (GPa) | 240 |
| Thermal inpulsa resistentia | maxime bonum |
Nostra corporatio post inchoationem, solutionem optimam ac vitam organizationem continenter respicit, technologiam creationis continenter auget, mercium bonarum qualitatem auget et continenter negotiationem totalem qualitatum administrationis corroborat, stricte servato cum norma nationali ISO 9001: 2000 pro Sinis OEM Direct Sourse pro Oxidation Resisdant Graphite Crucibilis/Navis, solutiones qualitates et turmas phantasticas ad crimina infestantibus praestabimus.Committitur beneficium a provisoribus nostris comprehensivis per contactum nos hodie.
China OEMChina Graphite Foundry Crucible and Carbon Graphite Crucible, Customer satisfactionis finis primus est.Nostra missio est qualitatem superlativam persequi, continuam facere progressionem.Te sincere suscipimus, ut una nobiscum proficias, et simul futurum prosperum componas.
