Commoda nostra sunt pretiis inferioribus, dynamica venditio team, speciales QC, fortes officinas, qualitates altae products et officia praestantissimas qualitates Factory Supple Silicon Carbide (SiC) Heating Elementum, Acceperimus novos et veteres clientes ab omnibus vitae spatiis ad contactum nobis futurum. res et relationes mutuae successus!
Commoda nostra sunt minora pretiis, dynamica venditio team, specialitas QC, fortis officinarum, qualitas products et officia proChina Sic Calefactio Elementorum Et Sic Heater ElementorumHorum quidvis curiositatis tibi fac nite- re permittis scire. Laeti sumus te praebere sententiam in acceptis pervestigationum suarum. Nostrae professionalis R&D machinis quibusvis cum exigentiis obviam habuimus, Tuis inquisitionibus mox recipiendis expectamus ac speramus occasionem habere una vobiscum intra futurum cooperandi. Gratam vide ordinationem nostram.
Descriptio
Societas nostra SiC efficiens operas processus per methodum CVD in superficie graphitarum, ceramicorum et aliarum materiarum praebet, ut gasi speciales in caliditate carbonis et siliconis reant, ad altam puritatem SiC molecularum, molecularum in superficie materiarum iactatarum depositarum; formatam SIC tutela iacuit.
Principalis Features
1. caliditas oxidationis resistentia;
oxidatio resistentia adhuc optima est, cum siccus tam altus est quam 1600 C.
2. Alta puritas: factae depositionis vaporis chemicae sub conditione chlorinationis caliditatis.
3. Exesa resistentia: durities alta, superficies compacta, particulae tenuis.
4. Corrosio resistentiae: acidum, alcali, salis et reagentia organica.
Specificationes principales de CVD-SIC Coating
Sic-CVD Properties | ||
Crystal Structure | FCC β phase | |
Density | g/cm | 3.21 |
duritia | Vickers duritia | 2500 |
Frumenti Size | μm | 2~10 |
Puritas chemica | % | 99.99995 |
Calor Capacitas | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
Sublimatio Temperature | ℃ | 2700 |
Fortitudo Felix | MPa (RT 4-punctum) | 415 |
Modulus | Gpa (4pt bend, 1300℃) | 430 |
Scelerisque Expansion (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Scelerisque conductivity | (W/mK) | 300 |
Turba Profile
WeiTai Energy una est e fabrica et praebitoribus carbidi pii pii in Sinis schedae epitaxiales obductis. Nostri principales fructus includunt: Silicon carbide etch bracteae, carbida silicon umbilicus, carbida lagana navigia pii (PV & semiconductor), fistulae carbidi pii fornacis, paxulae siliconis carbide cantilever, carbida pilica chucks, carbida pii trabibus ac tunicas CVD SiC TaC coatingit.
Producta maxime adhibentur in industrias semiconductoris et photovoltaicae, ut cristallum incrementum, epitaxy, engraving, packaging, efficiens et diffusio fornacis instrumenti. SIC eme schedam epitaxialem grabatis cum pretiis humilibus ex officina nostra obductis. Nostram notam habemus et nos etiam molem sustinemus. Si amet fructus nostros, vili pretio tibi dabimus. Welcome to our latest high quality discount products.
Societas nostra plenam productionem instrumentorum habet ut fingendi, sinterendi, processus, instrumenti efficiendi, etc., quae omnes necessarias producti productionis nexus complere potest et altiorem potestatem producti qualitatis habere; Optimae productionis consilium secundum necessitates producti seligi potest, unde in inferioribus sumptibus et emptoribus productoribus magis competitive providendum est; Possumus mollius et efficaciter schedulas productionis secundum ordinem traditionis requisita et in coniunctione cum ordine systematis administratione online, emptores cum velocius partus tempore certoque providendo.
Apparatus
Commoda nostra sunt pretiis inferioribus, dynamica venditio team, speciales QC, fortes officinas, qualitates altae products et officia praestantissimas qualitates Factory Supple Silicon Carbide (SiC) Heating Elementum, Acceperimus novos et veteres clientes ab omnibus vitae spatiis ad contactum nobis futurum. res et relationes mutuae successus!
Qualis praeclaraChina Sic Calefactio Elementorum Et Sic Heater ElementorumHorum quidvis curiositatis tibi fac nite- re permittis scire. Laeti sumus te praebere sententiam in acceptis pervestigationum suarum. Nostrae professionalis R&D machinis quibusvis cum exigentiis obviam habuimus, Tuis inquisitionibus mox recipiendis expectamus ac speramus occasionem habere una vobiscum intra futurum cooperandi. Gratam vide ordinationem nostram.