Princeps puritatis Sic Portitorem / Susceptor

Brevis descriptio:

Pii carbide discus ferens etiam notus est ut SIC lance, pii carbide etching discus, discus ICP etching. Ipsumque carbidum Silicon ad DUXERIT etching (SiC tray) φ600mm est peculiaris accessoria ad altam siliconam etching (machinam ICP etching).


Product Detail

Product Tags

Descriptio

Pii carbidi ceramici praestantes proprietates mechanicas habent in cella temperie, ut altae vires, altae duritiae, altae moduli elasticae, etc., habet etiam excellentem stabilitatem summus temperaturae sicut alta conductivity scelerisque, humilis scelerisque dilatatio coefficiens, et bonum rigoris specificae et optica. expediendi expediendi.
Praecipue aptae sunt ad praecisionem partium ceramicarum producendarum ad apparatum ambitum integrandum sicut machinis lithographiae, maxime adhibitae ad fabricandum tabellarium / susceptorem, navim laganum SiC, discum lactentem, laminam refrigerantem aquam, praecisionem pondero mensurandi, craticulam et alias partes structurarum ceramicarum.

carrier2

carrier3

carrier4

commoda

Princeps caliditas resistentia: normalis usus ad MDCCC
Princeps scelerisque conductivity: equivalent to graphite materiale
Alta duritia: durities secunda tantum adamas, nitrida boron
Resistentia corrosio: acidum et alcali validum non habent corrosionem, melior est corrosio resistentia quam carbida et alumina.
Pondus leve: densitas humilis, proxima ad aluminium
Nulla deformatio: humilis coefficiens scelerisque expansionem
Resistentia concussa scelerisque: potest sustinere mutationes acuta temperatura, inpulsa scelerisque resistere, et effectus stabilis habet
Silius carbida tabellarius talis est ut tabellarius etching, ICP susceptor etching, late usi sunt in semiconductore CVD, putri vacuo etc. Praebere possumus clientes lagani lagani cum baiulantibus siliconibus et carbide siliconis ad diversas applicationes occurrendas.

commoda

Property Precium Methodus
Density 3.21 g/cc Sink-natat et dimensio
Imprimis calor 0.66 J/g °K Pulsus mico laser
Flexurae vires 450 MPa560 MPa 4 punctum anfractus, RT4 punctum flexus, 1300°
Fractura spissitudo 2.94 MPa m1/2 Microindentation
duritia 2800 Vicker's, 500g onus
Elasticus ModulusYoung's Modulus 450 GPa430 GPa 4 pt flecti, RT4 pt flecti, MCCC °C
Frumenti magnitudine 2 - 10 µm SEM

Turba Profile

WeiTai Energy Technologia Co., Ltd. est praecipuum supplementum ceramicorum semiconductoris provectorum et unicum in Sinis opificem, qui simul potest altam puritatem carbidam ceramicam Pii praebere (praesertim in Recrystallized SiC) et CVD SiC efficiens. Insuper etiam in campis ceramicis, ut alumina, aluminium nitride, zirconia, et nitride pii, etc.

Praecipua nostra producta comprehendunt: carbida siliconis etching discus, navis carbida siliconis stuppa, cymba carbida silicon (Photovoltaic&Semiconductor), tubus carbidi pii, paxillum carbidum pii, paxillum carbidum silicon, chucks carbide pii, trabs carbida pii, necnon tunica CVD SiC et TaC. efficiens. Producta maxime adhibentur in industrias semiconductoris et photovoltaicae, ut apparatum crystalli incrementum, epitaxy, engraving, packaging, efficiens fornacibus et diffusionibus, etc.
de (2)

Transporto

de (2)


  • Priora:
  • Next: