Low price for Tubular Shape Sic Heater Silicon Carbide Calefactio Element

Low price for Tubular Figura Sic Heater Silicon Carbide Calefactio Element Featured Image

Brevis descriptio:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. est primarium supplementum ceramicorum semiconductoris provectorum et sola fabrica in Sinis quae simul summus puritatis pii carbidam ceramicam praebere potest (praesertim cumRecrystallized SiC) ET CVD SiC niunt. Insuper etiam in campis ceramicis, sicut alumina, aluminium nitride, zirconia, et nitride pii, etc.

Mitte ad nos inscriptio

Product Detail

Product Tags

Cum certa bona qualitate systematis, magni stantis et perfecti subsidii consumendi, series productorum et solutionum a nostra ordinatione productorum exportantur ad satis paucas nationes et regiones pro parvo pretio ad figuram Tubularem Sic Heater Silicon Carbide Heating Element, Welcome to diu disponere. term matrimonium nobiscum. Plurimum Vendere pretium Aeterna Quality in Sinis.
Cum certa bona qualitate systematis, magni stantis et perfecti subsidii consumptivi, series productorum et solutionum a nostra ordinatione productorum satis exportantur ad paucas regiones et regiones proChina Sic Heater Silicon Carbide Calefactio Elementum Et Sic Calefactio ElementumCum supremae solutiones officinarum nostrarum sint, series solutionum nostrarum probata est et peritiam certificationum auctoritatem nobis conciliavit. Ad parametri accessiones et singula indicem referens, memento pressione premendi informationem additionalem acquirendi.

Praecipua lineamenta graphite calefacientis:

1. uniformitas calefactionis structura.

2. conductivity electricae and high electrical load.

3. Erugo resistentia.

4. Inoxidizability.

5. princeps chemicae puritatis.

6. princeps vi mechanica.

Utilitas est industria efficiens, magni valoris et humilis conservationis. Possumus producere anti-oxidationem et vitam longam graphite uasculi, graphitei formare et omnes partes graphitae calefacientis.

Pelagus parametri graphite calefacientis

Technical Specification	Semicera-M3
Mole densitas (g/cm3)	≥1.85
Cineres Content (PPM)	≤500
Litore duritia	≥45
Imprimis Resistentia (μ.Ω.m)	≤12
Flexurae fortitudo (Mpa)	≥40
Fortitudo compressive (Mpa)	≥70
Maximilianus. Magnitudo frumentaria (μm)	≤43
Coefficiens Scelerisque Expansion Mm/°C	≤4.4*10-6

MOCVD Substrate Heater_ Calefactio Elementa MOCVD
Cum certa bona qualitate systematis, magni stantis et perfecti subsidii consumendi, series productorum et solutionum a nostra ordinatione productorum exportantur ad satis paucas nationes et regiones pro parvo pretio ad figuram Tubularem Sic Heater Silicon Carbide Heating Element, Welcome to diu disponere. term matrimonium nobiscum. Plurimum Vendere pretium Aeterna Quality in Sinis.
Minimum pretium proChina Sic Heater Silicon Carbide Calefactio Elementum Et Sic Calefactio ElementumCum supremae solutiones officinarum nostrarum sint, series solutionum nostrarum probata est et peritiam certificationum auctoritatem nobis conciliavit. Ad parametri accessiones et singula indicem referens, memento pressione premendi informationem additionalem acquirendi.