Incrementum processus pii crystalli unius in campo scelerisque perfecto exercetur.Bonum campum scelerisque conducit ad cristallum qualitatem emendandam et altam crystallizationem efficientiam habet.Consilium campi scelerisque maxime determinat mutationes et mutationes in gradibus calidis in dynamico campo scelerisque.Fluxus gasi in fornacibus conclave et differentia materies in agro scelerisque usu directe determinant vitam servitii campi scelerisque.Scelerisque campus inrationabiliter designatus non solum difficilem facit ut crystallis congruentibus qualitas exigentiis crescat, sed etiam non potest perficere singula cristalla sub certis processibus requisitis.Inde est, quod industria Pii Czochralski monocrystallini ad consilium campi scelerisque spectat sicut nuclei technologiae et magnas pubis opes et materialia in investigationis et progressu campi scelerisque collocat.
Systema scelerisque ex variis materiae scelerisque agris.Breviter tantum materiam in agro scelerisque adhibebimus.De temperatura distributione in agro scelerisque scelerisque et cristallo impulsum trahere, hic non resolvemus.Materia campi thermarum refertur ad incrementum crystalli vacuum fornacem.Partes structurae et thermally insulatae cubiculi, quae necessariae sunt ad creandum pannos temperatos circa semiconductoris et crystallis propriis.
unus.scelerisque agri structuram principalem materiae
Materia fundamentalis sustinens per methodum Czochralski crescentis unius crystalli siliconis est summus puritatis graphitae.Materiae graphitae maximi momenti sunt in hodierna industria.In praeparatione Pii unius crystalli iuxta methodum Czochralski adhiberi possunt ut structurae thermarum partium sicut calentium, duce fistularum, uasculorum, fistularum insulationum, ac uasculorum uasculorum.
Materia graphita electa est propter facilitatem praeparationis in magnis voluminibus, processabilium et proprietatibus resistentiae caliditatis.Carbon in forma adamantis vel graphite altiorem punctum liquescens quam quodlibet elementum vel compositum habet.Materia graphite admodum fortis est, praesertim in calidis temperaturis, eiusque electricae et scelerisque conductivity etiam satis bonae est.Eius conductivity electricae materiam calefacientis idoneam facit et satis conductivity scelerisque habet quae calorem ab calefaciente generatum ad uas et alias partes campi scelerisque aequabiliter distribuere potest.Sed in calidis, praesertim in longinquis intervallis, principalis modus caloris translatio est radialis.
Partes graphitae initio formatae sunt extrusione vel compressione isostaticarum particulorum carbonaceorum subtilium cum ligamento mixtorum.Qua- graphite summus partes plerumque isostatically premebantur.Tota pars primum carbonised et graphitized in calidissimis temperaturis prope MMM°C.Partes ex his monolithis machinatae saepe purgatae sunt in atmosphaera chlorino continente ad altas temperaturas ad contaminationem metallicam removendam ad requisita industriae semiconductoris implendae.Attamen, etiam cum purgatione propria, gradus contaminationis metallicae sunt ordines magnitudinis altiores quam per Pii singulas materias crystallinas permissas.Ideo cavendum est in consilio campi scelerisque ne contagione harum partium ab ingressu liquescat vel superficiei crystalli.
Materia graphica leviter permeabilis est, quae intus metallum reliquum sinit ut facile superficiem attingat.Praeterea silicon monoxidum praesens in purgatione gas circa superficiem graphiticam in plurimas materias penitus penetrare potest et agere.
Primae unius cristallinae pii calentium fornacem ex metallis refractoriis factae sunt sicut tungsten et molybdenum.Cum graphite processus technologiae maturescit, proprietates electricas nexuum inter componentes graphite stabilia fiunt, et una fornax siliconis cristallina calentium tungsten et molybdenum et alia materia calentium omnino reposui.Late usitata materia graphitica nunc est graphita isostatica.semicera altum praebere potest qualitatem materiae graphite isostatically impressam.
In Czochralski singula fornaces Pii crystalli, C/C materiae compositae interdum adhibentur, et nunc ad fulmina, nuces, uasculas, laminas onerandas et alia componentia fabricare solebant.Carbon/carbon (c/c) materiae compositae sunt fibra carbonis solidata materiae carbonis fundatae.Praecipuae vires altae sunt, altae moduli specifici, humilis scelerisque expansio coefficientis, conductivity electricae bonae, magnae fracturae durities, gravitatis specificae humilis, resistentiae scelerisque concussae, corrosio resistentiae, Series optimarum proprietatum sicut caliditas resistentiae et late nunc est. usus est in aerospace, currendo, biomaterialibus et aliis campis ut novum genus caliditatis caliditatis materialis sistens resistentis.Nunc, principale bottleneck in rebus domesticis C/C congressus est, sumptus et quaestiones industriales sunt.
Multae aliae materiae usui sunt ad agros scelerisque creandos.Carbonis fibra graphita aucta melius habet proprietates mechanicas;carior vero est et alia consilio requisita imponit.Pii carbide (SiC) melior materia est quam graphita multis modis, sed multo carior et difficilior est partes magnas-volumen fabricare.Nihilominus, SiC saepe usus est ut CVD efficiens ad augendam vitam partium graphitarum infestantibus gas monoxidum siliconibus obnoxium et etiam ad contaminationem e graphite minuendam.Carbida densa CVD siliconis efficiens efficaciter impedit contaminantes intra materiam graphiticam microporonis ne attingat superficiem.
Altera est carbonis CVD, quae etiam densum iacuit super partes graphitae formare potest.Aliae materiae resistentiae summus temperatus, ut molybdenum vel ceramicum, quae cum ambitu compatitur, adhiberi possunt ubi nullum periculum contagionis liquefactum est.Nihilominus, ceramici oxydi ceramici limitatam convenientiam habent ad contactum directum cum materiis graphitis in calidis temperaturis, saepe paucas alternationes relinquentes, si insulatio requiritur.Una est nitride boron sexangulae (aliquando graphita alba ob similes proprietates), sed pauperes habet proprietates mechanicas.Molybdenum fere rationabile est applicationes caliditatis propter temperaturas propter moderatum suum sumptus, diffusitatem in crystallis siliconibus humilis, et segregationis coefficiens humilis circiter 5× 108, quod molybdenum contaminationem aliquam permittit antequam crystalli structuram destruat.
duo.Nulla materiae scelerisque
Nulla materia usitatis usus est carbonii sentitur variis formis.Carbon filtrum ex fibris tenuibus quae velit scelerisque agunt quia radiationem scelerisque in brevi spatio multoties claudunt.Mollis carbo carbonis fila texitur in laminas materiae relative tenues, quae deinde in figuram desideratam incisae sunt et ad rationabilem radium arcte flectuntur.Sensum sanatum ex similibus materiis fibrarum componitur, utens carbon-continens ligans ad fibras dispersas in rem solidiorem et exquisitam connectendam.Usus vapor chemicus depositionis carbonis loco ligatorum proprietates mechanicas materiae emendare potest.
Typice superficies exterioris sensitivae insulationis curatae obducta est cum continuo graphite tunica vel ffoyle ad exesum redigendum et itemque contaminationem particulatam induendam.Typi carbonis fundationis Nullae etiam materiae existunt, ut spuma carbonis.In genere, materiae graphitizatae perspicue praeferuntur, quia graphitizationem fibrarum superficiei valde minuit.Hae materiae superficies altae multo minus defluentes patiuntur et minus tempus sumunt ut fornacem ad proprium vacuum traherent.Alterum genus est materia composita C/C, quae praecipuas lineas habet ut leve pondus, magnum detrimentum tolerantiae, altum robur.Usus est in campis scelerisque ut partes graphitae reponerent, quae signanter minuit frequentiam partium graphitarum et meliores unius crystalli qualitatem et stabilitatem productionis.
Secundum classificationem materiarum crudarum, carbo sensit in polyacrylonitrile-substructus carbonis sentiri potest, sentitur carbo viscoso-substructus, et carbonis bituminis substructio sentitur.
Polyacrylonitrile-substructio carbonis sensitivae magnae fraxinum contentum habet, et monofilamenta fragilia fiunt post curationem summus temperatus.Per operationem, pulvis facile producitur ad fornacem ambitum polluendam.Eodem tempore fibrae faciliter intrant poros humanos et tractus respiratorii, laesiones humanae sanitati;viscoso-substructio carbonis sensit. Habet bona insulation possessiones scelerisque, est relative mollis post curationem caloris, et minus verisimile est pulverem producere.Sed crux-sectio filorum viscoso-substructorum irregularem figuram habet et multae valles in superficie fibra, quae facile est formare coram atmosphaera oxidizing in una fornace Pii cristallina Czochralski.Gases ut CO2 efficiunt praecipitationem oxygenii et carbonis elementa in singulis materiae siliconis crystallinis.Fabricatores principales includunt Germanorum SGL et alias turmas.Nunc, picis carbonis substructio sentiendi in semiconductore unius cristalli industriae latissime usus est, et melior est effectio scelerisque velit quam carbonis glutinosi sentientis.Gum-basis carbonis sensilis inferior est, sed carbo carbonis bituminis subnixus puritatem altiorem et emissionem pulveris inferiorem habet.Manufacturers includunt Iaponia Kureha Chemical, Osaka Gas, etc.
Cum figura carbonis sentiri non figitur, operari incommodum est.Nunc multae societates elaboraverunt novam materiam velitarum scelerisque innixam in filtro carbonii - curato carbone sentiente.Sanatum carbo carbonis senti- tus est etiam dictus sensim dura.Sensus carbonis est certam figuram et sui sustentabilitatem prae se gravidatam resina, laminata, solidificata et carbonizata.
Incrementum qualitas unius cristalli Pii directe afficitur ambitus campi scelerisque, et fibra carbonis insulae in hac provincia partes praecipuas habent.Carbon fibra scelerisque velit mollis sensi adhuc magnum commodum obtinet in semiconductore photovoltaico industriam ob commoda sua gratuita, praestantem effectum velit scelerisque, consilium flexibile et figura customizabilis.Praeterea, fibra carbonis rigida insulatio sensit, ampliorem locum faciet evolutionis in foro materiali scelerisque agro propter certas vires et operabilitatem altiorem.Investigationis et evolutionis in campo materiarum scelerisque velitarum et continue optimize producti effectus ad promovendum prosperitatem et evolutionem semiconductoris industriae photovoltaicae.
Post tempus: May-15-2024