CVD Silicon Carbide Coating-1

Quid est CVD SiC?

Depositio vapor chemicus (CVD) est processus depositio vacui adhibita ad altam puritatem materiae solidae. Hic processus saepe adhibetur in agro semiconductore fabricando ut membranas tenues in superficie laganae formaret. In processu SiC parandi per CVD, substratum uni vel pluribus praecursoribus volatilibus exponitur, qui chemica in superficie subiecti agunt depositum desideratum SiC deponendi. Inter multas methodos ad materias SiC parandas, productorum depositio vaporum chemica praeparatorum altam uniformitatem et puritatem habent, et methodus validam processum controllability habet.

2

CVD SiC materies aptissima sunt ad usum in industria semiconductoris quae altas res obeundis requirit propter singularem compositionem optimarum possessionum scelerisque, electricae et chemicae. CVD SiC partes late in apparatu etching, MOCVD instrumento, Si epitaxiali instrumento et SiC epitaxiali instrumento, celeri instrumento scelesto et aliis agris.

Super, segmentum maximum fori CVD SiC componentium est notabilium instrumentorum notabilium. Ob reactivitatem et conductivitatem suam ad chlorine- et fluorinum continentem etching vapores, CVD carbida pii materia optima est pro componentibus ut annulos focus in apparatu plasmatis etching.

CVD pii carbide componentes in etching instrumento focus anulos, capita vapores imbres, scutras, marginem annulos etc. Sumens in exemplum umbilicum anulum, anulus focus est pars magna extra laganum posita et directe in contactu cum lagano. Applicando intentionem anuli ad umbilicum per anulum plasma transeunte, plasma laganum ad meliorem processui uniformitatem intenditur.

Anuli umbilici Institutio fiunt ex Pii vel Vico. Cum progressionis ambitus miniaturizationis integrati, postulatum et momentum processuum etingendi in ambitu fabricandi integrato augentur, et vis et vis etingendi plasma augere pergunt. Praesertim energia plasma in instrumento plasmate etching capacitive copulato (CCP) altiore requiritur, itaque usus rate anulorum umbilici e materia carbide siliconis augetur. Schematicum schematicum de CVD anuli carbide pii umbilici infra ostenditur:

1

 

Post tempus: Iun-20-2024