1. Cur est aPii carbide coating
Iaculum epitaxiale est peculiare velum cristallinum tenue, quod ex lagano per processum epitaxialem crevit. laganum subiectum et membrana tenuis epitaxialis pluraliter lagana epitaxial vocantur. Inter eosPii carbide epitaxialiacuit increvit substrato carbide silicone conductivo ad carbidam siliconam epitaxialem laganum homogeneum obtinendum, quae adhuc in machinis potentiae fieri potest ut Schottky diodes, MOSFETs, et IGBTs. Apud eos late usus est 4H-SiC distent.
Cum omnes machinae basically efficiantur in epitaxy, qualitateepitaxyMultum momenti habet in fabricatione machinae, sed epitaxia qualitas a processu crystallorum et subiectarum afficitur. Medium est industriae nexum ac munus in evolutione valde critica exercet.
Praecipuae methodi ad carbidam epitaxialem strata pii praeparandam sunt: methodus incrementum evaporationis; liquid phase epitaxy (LPE); trabs hypothetica epitaxy (MBE); vapor chemicus depositio (CVD).
Apud eos depositio vapor chemicus (CVD) est popularis 4H-SiC methodus homoepitaxia. 4-H-SiC-CVD epitaxy plerumque utitur instrumento CVD, quod efficere potest continuationem tabulae epitaxialis 4H crystalli SiC sub condiciones temperaturae altae incrementum.
Substratum in apparatu CVD directe poni non potest in metallo vel simpliciter in basi depositionis epitaxiali positae, quia varias causas implicat ut directionem fluunt gas (horizontalem, verticalem), temperiem, pressuram, fixationem, et pollutantes cadentes. Ergo basis opus est, et deinde substrata in disco ponitur, et tunc depositio epitaxialis conficitur in subiecto technologia utens CVD. Haec basis est basi graphite SIC linita.
Sicut nucleus componentis, basis graphitae habet proprietates altitudinis specifici roboris et moduli specifici, boni scelestae resistentiae et corrosionis resistentiae, sed in processu productionis, graphita corroditur et pulverizabitur propter residuos gasorum corrosivorum et metallorum organicorum. materia, et servitus vita graphite basin valde redacta erit.
Eodem tempore, graphite lapsi pulveris spumam polluent. In processu carbide lagana epitaxiali siliconis producenda, difficile est ad usum materiae graphite- rum, quae gravissime restringunt, magis acriores in populo requisita. Ergo technologia efficiens oriri coepit.
2. CommodaSic coating
Physica et chemica proprietas coatingis stricte requisita habent ad resistentiam caliditatis et corrosionis resistentiam, quae directe afficiunt cessui et vita producti. SiC materia altam fortitudinem, altam duritiem, humilis scelerisque dilatatio coefficiens et conductivity bonae scelerisque. Magna est summus temperatura structuralis materialis et summus temperatus materiam semiconductorem. Praesent graphite turpis. Commoda eius sunt;
-SiC corrosio repugnans est et graphita basi plene involvere potest et densitatem bonam habet ad damnum gas corrosivum vitandum.
-SiC altas scelerisque conductivity et compaginationes cum basi graphite altas habet, ita ut litura non facile defluat post multiplices cyclos summus temperatus et humilis temperatus.
-SiC bonum habet stabilitatem chemicam ne litura deficiat in atmosphaera summus temperatus et corrosivus.
Praeterea fornaces epitaxiales diversarum materiarum graphitas scutulas requirunt cum indicibus diversis faciendis. Sceleris dilatatio coefficiens adaptatio materiae graphitae requirit accommodans ad incrementum caliditatis epitaxialis fornacis. Exempli gratia, temperatura incrementi carbidi pii epitaxialis altus est, et repositorium cum magna expansione coefficiens scelerisque requiritur. Sceleris dilatatio coefficiens SiC valde propinqua est cum graphite, eamque aptam facit ut materia praelata pro superficiei basi graphitae tunicae.
Materiae SiC varias formas cristallinas habent, et frequentissimae sunt 3C, 4H, 6H. Diversae cristallinae formae SIC diversos usus habent. Exempli gratia, 4H-SiC adhiberi potest summus potentiae machinas fabricare; 6H-SiC firmissimum est et ad machinas optoelectronic fabricandas adhiberi potest; 3C-SiC adhiberi possunt stratis epitaxialibus GaN producere et fabricare machinas SiC-GaN RF propter similem structuram GaN. 3C-SiC etiam vulgo dicitur β-SiC. Magni momenti usus β-SiC est sicut tenuis pellicula et materia coating. Ergo β-SiC nunc est materia principalis efficiendi.
SIC coatings solent in productione semiconductoris adhibita. Maxime adhibentur in subiecto, epitaxy, oxidatio, diffusio, etching et ion implantatio. Physica et chemica proprietas coatingis strictas exigentias habent in caliditate resistentiae et resistentiae corrosionis, quae directe afficiunt cessui et vita producti. Igitur praeparatio SIC efficiens est critica.
Post tempus: Iun-24-2024