Tenues membranae adhibitae in semiconductore fabricando omnes resistunt, et resistentia cinematographica directam ictum in machinis faciendis habet. Resistentiam cinematographicam absolutam non metimur, sed resistentiam schedae ad denotandum adhibemus.
Quae sunt lintea resistentiae et volumen resistentiae?
Volumen resistivity, etiam volumen resistivity, est proprietas inhaerens materiae quae notat quantum materialis fluxum electricae currentis impedit. Communiter symbolum ρ repraesentat, unitas est Ω.
Sheet resistentia, etiam scheda resistentiae, nomen Anglicum scheda resistentiae est, quae refert ad valorem resistentiae cinematographici per unitatem aream. Communiter symbola Rs vel ρs ad exprimendum adhibita, unitas est Ω/sq vel Ω/□
Necessitudo inter utrumque est: linteum resistentiae = volumen resistivity/s pelliculae crassitudinis, id est Rs = ρ/t
Cur schedae mensura resistit?
Absoluta resistentia cinematographici mensurans accuratam cognitionem dimensionum geometricarum cinematographici (longitudinem, latitudinem, crassitudinem) requirit, quae multas variabiles habet et valde implicatas propter membranas tenuissimas vel irregulares formatas. Linteamen resistentiae solum ad crassitudinem cinematographici comparatur et cito et directe temptari potest sine calculis complicatis magnitudinis.
Quod films postulo ut metimur resistentia sheet?
Fere cinematographica conductiva et semiconductor cinematographica metiri debent ad resistentiam quadratam, cum membrana insulating metienda non sit.
In semiconductore doping, scheda resistentiae Pii mensuratur.
Quomodo resistentiam metiri quadratum?
Quadripartita methodus probe industriae usus est. Methodus quattuor probae metiri potest resistentiam quadratam ab 1E-3 ad 1E+9Ω/sq. Methodus quattuor-probabilis errores mensurae vitare potest propter contactum resistentiae inter specillum et specimen.
Modi mensurae:
I) pone quattuor speculatoria linearly disposita in superficie exempli.
2) Applicare assiduum venam inter duas externas rimulas.
3) Resistentiam determinare metiendo potentialem differentiam duorum internorum rimarum
RS: sheet resistentia
V: Mutare in voltage metiri internus speculatoria
I: Current applicantur inter exteriores rimatur
Post tempus: Mar-29-2024