-
Quid est Tantalum Carbide?
Tantalum carbide (TaC) est compositum binarium ex Tantali et carbonis cum formula chemica TaC x, ubi x inter 0.4 et 1. variat plerumque sunt durissimae, fragiles, refractoriae materiae ceramicae cum conductivity metallicis. Pulveres fusci sunt et nos sunt.Read more -
quae tantalum carbide
Tantalum carbide (TaC) est materia ceramica ultra-caliditas caliditas cum resistentia caliditas, densitas alta, densitas alta; princeps castitatis, immunditiae contentus <5PPM; et chemica inertia ad ammoniacam et hydrogenium ad altas temperaturas et ad stabilitatem bonam scelerisque. Sic dicitur ultra-altum...Read more -
Quid est epitaxia?
Plurimi fabrum insueti sunt epitaxia, quae munus magni ponderis agit in fabrica fabricandis semiconductoribus. Epitaxy in diversis productis chippis adhiberi potest, et diversa producta epitaxiae diversa genera habent, inter Si epitaxiam, epitaxiam SiC, epitaxiam GaN, etc. Quid est epitaxy? Epitaxy est...Read more -
Quid magni parametri SiC?
Carbida Silicon (SiC) est fascia magna semiconductoris amplissima materia late adhibita in alta potentia et electronicis machinis frequentia. Nonnulli sunt clavi parametri pii lagani carbidi et earum explicationes accuratae: Parametri cancellos: Perficite...Read more -
Cur unius cristalli pii convolvi opus est?
Rolling significat processum molentis diametri exterioris siliconis unius virgae crystalli in unam vitream virgae diametri inquisitae utens adamantis rotae stridoris, et stridor ore plano referens superficiem seu sulcus unius virgae cristallinae positionis. Diameter exterior superficies...Read more -
Processus producendo High-Quality SiC Pulveres
Pii carbide (SiC) compositum est inorganicum propter eximias proprietates notum. Naturaliter siC, quae moissanite, satis rara est. In applicationibus industrialibus, carbide pii praevalens per methodos syntheticas producitur.Read more -
Imperium radialis resistivity uniformitatem in crystal trahens
Causae praecipuae quae ad uniformitatem resistentiae radialis simplicium crystallorum pertinentes sunt planities interfaciei solidi liquidi et effectus plani parvi in incremento crystalli Influxus plani liquidi solidi Interfacii In cristallo augmento, si liquefactio aequaliter excitatur. , the...Read more -
Cur campus magneticus unus fornax crystallina unius cristalli qualitatem emendare potest
Cum uas utatur ut continens et convectio intus est, sicut magnitudo crystalli unius generati augetur, calor convection et aequalitas gradientis temperatura difficilior refrenanda fiunt. Addendo campum magneticum ad effectum deducendi in Lorentz vim facere, convection esse...Read more -
Celeri incrementum SiC singularum crystallorum utens mole CVD-SiC fonte per modum sublimationis
Celeri augmenti SiC Crystal Unius Usura CVD-SiC Bolk Source via Sublimationis MethodBy utens REDIVIVUS CVD-SiC stipitibus ut fons SiC, crystalla SiC feliciter crevit ad 1,46 mm/h per methodum PVT. Increverunt crystalli micropipes et densitates dislocationis indicant de...Read more -
Optimized and Translated Content on Pii Carbide Epitaxial Augmentum Equipment
Pii carbide (SiC) subiecta numerosos defectus habent, qui processus directos impediunt. Ad laganum chip creandum, cinematographicum singulare unum crystallum in subiecto SiC per processum epitaxialem crescere debet. Hoc cinematographicum notum est quod iacuit epitaxial. Fere omnes SiC cogitationes in epitaxial fiunt ...Read more -
De Partibus Crucialibus et Applicationibus Causae Graphitae Susceptores SiC-Coated in Vestibulum Semiconductoris
Semicera semiconductor consilia augere partium mediarum productionis pro instrumento globally semiconductori fabricandi. Per 2027, novam officinam 20000 metrorum quadratorum instituere contendimus cum tota obsidione LXX decies centena millia USD. Unum e nostris nucleum, carbide silicon (SiC) laganum carr...Read more -
Cur opus est facere epitaxiam in lagano pii subiectae?
In semiconductore industriae catenae, praesertim in semiconductor tertia-generatione (bandgap semiconductor late) industriae catenae subiectae sunt et stratis epitaxialibus. Quae significatio epitaxialis iacuit? Quid interest inter subiectum et subiectum? Substr...Read more