Primum, structura et proprietates crystalli Sic.
SiC compositum binarium a Si elementum et C elementum in 1, ratione formatum est, hoc est, 50% silicon (Si) et 50 carbonis (C), cuius fundamentum structuralis unitas SI-C est Tetraedrum.
Schematica iconis carbidi pii structurae Tetraedri
Exempli gratia, atomi Si diametro magnae sunt, pomo aequipollentes, et C atomi diametro parvae, aurei aequipollentes, totidemque aurantia et poma simul congesta ad crystallum SiC formandum.
SiC est compositum binarium, in quo vinculum Si-Si spacium atomum est 3.89 A, quomodo hoc spatium intelligendum est? Nunc, praestantissima lithographia machina in foro lithographiam subtiliter 3nm habet, quae distantia 30A est, et lithographia accuratio octo temporum distantiae atomicae est.
Vinculum Si-Si vis est 310 kJ/mol, sic intellegere potes vinculum energiae esse vim, quae haec duo atomorum dissociat, et quo maior energiae vinculum, eo maiorem vim quam distrahere debes.
Exempli gratia, atomi Si diametro magnae sunt, pomo aequipollentes, et C atomi diametro parvae, aurei aequipollentes, totidemque aurantia et poma simul congesta ad crystallum SiC formandum.
SiC est compositum binarium, in quo vinculum Si-Si spacium atomum est 3.89 A, quomodo hoc spatium intelligendum est? Nunc, praestantissima lithographia machina in foro lithographiam subtiliter 3nm habet, quae distantia 30A est, et lithographia accuratio octo temporum distantiae atomicae est.
Vinculum Si-Si vis est 310 kJ/mol, sic intellegere potes vinculum energiae esse vim, quae haec duo atomorum dissociat, et quo maior energiae vinculum, eo maiorem vim quam distrahere debes.
Schematica iconis carbidi pii structurae Tetraedri
Exempli gratia, atomi Si diametro magnae sunt, pomo aequipollentes, et C atomi diametro parvae, aurei aequipollentes, totidemque aurantia et poma simul congesta ad crystallum SiC formandum.
SiC est compositum binarium, in quo vinculum Si-Si spacium atomum est 3.89 A, quomodo hoc spatium intelligendum est? Nunc, praestantissima lithographia machina in foro lithographiam subtiliter 3nm habet, quae distantia 30A est, et lithographia accuratio octo temporum distantiae atomicae est.
Vinculum Si-Si vis est 310 kJ/mol, sic intellegere potes vinculum energiae esse vim, quae haec duo atomorum dissociat, et quo maior energiae vinculum, eo maiorem vim quam distrahere debes.
Exempli gratia, atomi Si diametro magnae sunt, pomo aequipollentes, et C atomi diametro parvae, aurei aequipollentes, totidemque aurantia et poma simul congesta ad crystallum SiC formandum.
SiC est compositum binarium, in quo vinculum Si-Si spacium atomum est 3.89 A, quomodo hoc spatium intelligendum est? Nunc, praestantissima lithographia machina in foro lithographiam subtiliter 3nm habet, quae distantia 30A est, et lithographia accuratio octo temporum distantiae atomicae est.
Vinculum Si-Si vis est 310 kJ/mol, sic intellegere potes vinculum energiae esse vim, quae haec duo atomorum dissociat, et quo maior energiae vinculum, eo maiorem vim quam distrahere debes.
Scimus omnem substantiam ex atomis et crystalli structuram esse certam ordinationem atomorum, quae ordo longus ordo appellatur, ut sequentia. Minima unitas cristallina dicitur cellula, si cellula est structura cubica, dicitur arcta cubica, et cellula sexangula, dicitur arcta hexagona.
Communes SiC cristallinae rationes includunt 3C-SiC, 4H-SiC, 6H-SiC, 15R-SiC, etc. Eorum series in axi directionis c positis in figura monstratur.
Inter eos, ordo fundamentalis positis 4H-SiC est ABCB... ; Ordo fundamentalis positis 6H-SiC est ABCACB... ; Ordo fundamentalis positis 15R-SiC est ABCACBCABACABCB.... .
Hoc autem videri potest latere ad aedificandum domum, quidam laterum domus habent tres vias ponens eas, quidam habent quatuor vias ponens eas, quaedam habent sex vias.
Parametri cellulae fundamentales harum generum communis SiC crystalli in mensa monstrantur;
Quid significant a, b, c et anguli? Structura unitatis minimae cellae in semiconductore SiC ita describitur:
In casu eiusdem cellae, structura crystalli etiam diversa, hoc est ut sortitio emimus, vicisses numerus est 1, 2, 3, emisti 1, 2, 3, tres numeros, at si numerus sortitur. Aliter, "victricis quantitatem" differt, sic numerus et ordo eiusdem cristalli, idem crystallus dici potest.
Sequens figura ostendit duos modos positis typicis, modo differentiam in modum positis atomorum superiorum, structura crystalli differre.
Crystallus structura a SIC formata valde ad temperiem refertur. Sub caliditate caliditatis MCM~MM, 3C-SiC lente in polyformem hexagonalem SiC convertet qualem 6H-SiC ob structurae pauperis stabilitatem. Eo ipso ob validam correlationem inter probabilitatem formationis polymorphs et siccitatis SiC, et ipsius 3C-SiC instabilitas, incrementum rate 3C-SiC difficilis est emendare ac praeparatio difficilis est. Systema hexagonale 4H-SiC et 6H-SiC frequentissima sunt et faciliora praeparandi, et late pervestigatae sunt ob proprias notas.
Vinculum longitudo vinculi SI-C in crystallo SiC tantum 1.89A est, sed energia ligatura tam alta est quam 4.53eV. Ergo, navitas gradu interstitium inter statum compaginem et statum anti-coniunctionis valde magnum est, et statio band ampla formari potest, quod pluries est Si et GaAs. Cohors superior latitudo gap significat summus temperatus crystallum structuram stabilem esse. Vim electronicarum consociatarum percipere possunt characteres stabilis operationis in caliditatibus calidis et in structuram diffluenti faciliorem calorem.
Stricta ligatio vinculi Si-C facit cancellos habere altam vibrationem frequentiam, id est, phonon energiae altam, quod significat crystallum SiC altam mobilitatem electronicorum et conductivitatem thermarum saturatam habere, et vim electronicarum machinarum cognatam habere. altioris mutandi velocitas et constantia, quae periculum machinae overtemperate defectum minuit. Praeterea campi naufragii superiores vires SiC permittunt ut superiores concentrationes doping et inferiores resistentia habeant.
Secundo, historia SiC crystalli evolutionis
Anno 1905, Dr. Henri Moissan in cratere SiC crystallum naturalem reperit, quem adamas similem invenit et Mosan adamantem nominavit.
Revera, primo 1885, Acheson SiC adeptus est miscendo cocum cum silica et in fornace electrica calefacientem. Eo tempore homines eam adamantes mixturam suspicati sunt et emeryam appellaverunt.
Anno 1892, Acheson synthesim processus emendavit, vicus arenam, Coke, parvam quantitatem astularum lignorum et NaCl commiscuit, et in fornace electrica usque ad 2700℃ calefacta est, et crystallis squamosis SiC feliciter obtinuit. Haec methodus synthesisandi SiC crystallorum notus est ut Acheson modus et adhuc amet modus efficiendi SiC abrasives in industria. Ob syntheticam rudis materiae puritatem et asperam synthesim processum, Acheson methodus sordes SiC plus producit, pauper cristallus integritas et parva diametri crystalli, quae difficilis est requisitis occurrere industriae semiconductoris magnae magnitudinis, altae puritatis et altae. -Quality crystallis, et electronicas machinas fabricare non possunt.
Lely of Philips Laboratorium novam methodum ad crescendum SiC crystallis singulis annis 1955 proposuit. Hac ratione, graphite uasculum pro vasculo augmenti adhibitum, SiC crystallus pulveris usus est ut materia rudis cristalli crescendi SiC, et graphita raris ad segregationem adhibetur. area cava a centro materiae crescentis. Cum increscit phiala graphica calefacta ad 2500℃ sub atmosphaera Ar vel H2, et pulvis periphericus SiC elevatur et in substantias Phase Si et C in vaporem redactum est, et crystallus SiC in media regione concava post gas. fluxus per raritatem graphite traducitur.
Tertio, Sic crystalli incrementum technologiae
Unius crystalli incrementum SiC difficile est propter suas proprietates. Hoc maxime ex eo quod nullum tempus liquidum est cum ratione stoichiometrica Si: C = 1:1 in pressione atmosphaerica, et per maturiorem incrementum methodorum augeri non potest, adhibitis in processu semiconductoris currentis auctus amet. industria - cZ methodo, cadendo methodo uasculo aliisque modis. Secundum calculum theoreticum, solum cum pressio maior quam 10E5atm et temperatura est altior quam 3200℃, ratio stoichiometrica Si: C=11: obtineri potest solutio. Ad hanc quaestionem devincendam, phisici assidui conatus sunt variis modis proponere ut altam cristallum qualitatem obtineant, magnae magnitudinis et crystalli vilis SiC. In praesenti methodi principales methodi sunt PVT, methodus liquida Phase et caliditas vapor chemicae methodus depositionis.
Post tempus: Jan-24-2024