Quam-processionem gradatim exhibemus pro subiectae SiC subiectae sunt hae:
1. Crystal propensio: X-radius utens diffractionem ad dirigendum crystallum ingot. Cum trabes X-radius ad faciem crystalli desideratam dirigitur, angulus radiorum diffracted orientationis crystalli determinat.
2. Diametri exterioris molentes: Crystalla simplicia in graphicis cryptis creverunt saepe diametri vexillum superant. Moles exteriores diametri eas reducit ad magnitudinum mensuram.
3. Fine Face Molere: 4-inch 4H-SiC subiectae duas figuras positiones habent, primariam et secundariam. Finis vultus stridor aperit has oras positioning.
4. Filum Sawing: Filum serratio crucialis gradus est in processui 4H-SiC subiectae. Rimas et sub-superficies damnum per filum secandum negative incursum fecit processibus subsequentibus, processui temporis extendendo et damno materiali causando. Modus communissimus est multi- filum secandum cum adamante laesura. Motus reciprocus filis metallicis cum abrasivis adamantinis religata adhibetur, ut 4H-SiC ingot secet.
5. Chamfering: Ad praecavendam aciem detractionem et damna consumabilia in processibus subsequentibus minuendo, acutae acutae acutae astularum technicarum filum ad figuras specificatas coluntur.
6. Tenuescens: Filum secandum folia multa exasperat et sub- superficiei damna. Exiliens fit utens rotis adamantis ad hos defectus quam maxime removendos.
7. Molendum: Hic processus includit stridor aspera et tenuis stridor utens carbide vel adamante boron minore amplitudo abrasiva ad damna residua removenda et nova damna in extenuando inducta.
8. Politura: Postrema vestigia aspera poliuntur et subtilia involvunt utentes alumina vel oxydatum pii abrasiva. Expolitio liquida superficiem mollit, quae tunc ab abrasivis mechanice removetur. Hic gradus superficiem levem et illaesam efficit.
9. Purgatio: Particulas removentes, metalla, membrana oxydatum, residua organica, et alia contaminantium e gradibus processus relinquuntur.
Post tempus: May-15-2024