Semicerae P-typus Wafer Substratum SiC elementum clavis est ad progressionem electronicarum machinarum et optoelectronic enucleandam. Haec lagana nominatim designantur ad augendam operationem in summus potentia et summus temperaturae ambitus, crescentem exigentiam efficientis et durabilis componentis sustinentes.
The P-type doping in our SiC lagana efficit ut melius electrica conductivity et ferebat mobilitas crimen. Inde praecipue aptas applicationes in potentiarum electronicarum, LEDs, et cellulis photovoltaicis aptos facit, in quibus humilis potentiae detrimentum et efficientia alta critica sunt.
Fabricata cum signis altissimis praecisionis et qualitatis, semicerae P-typus lagana SiC lagana optimam superficiei uniformitatem et minimam defectum rates offerunt. Hae notae vitales sunt industriis ubi constantiae et constantiae essentiales sunt, ut sectores aerospace, autocinetivi et renovabiles industriae.
Semicera munus innovationis et excellentiae constat in nostro P-typo SiC Substrate Wafer. Haec lagana in processu productioni tuo integrando, opera tua utilia ex eximias possessiones scelerisque et electricis SiC prosis, effice efficaces operare sub condicionibus provocandis.
Insedere in semicerae P-type SiC Wafer Substratum Wafer significat eligere opus quod scientia materiali cum scrupulosa machinatione incisionem componit. Semicera dedicata est technologiarum electronicarum et optoelectronicarum generationi alterae favens, essentialibus componentibus necessariis ad effectum tuum in industria semiconductoris praebens.
| Items | Productio | Inquisitionis | phantasma |
| Crystal Parameters | |||
| Polytypus | 4H | ||
| Superficiem sexualis errore | <11-20 >4±0.15° | ||
| Electrical Parameters | |||
| Dopant | n-genus Nitrogenium | ||
| Resistentia | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanica Parametri | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Crassitudo | 350±25 μm | ||
| Prima plana propensionis | [1-100]±5° | ||
| Prima plana longitudo | 47.5±1.5mm | ||
| Secundarium plana | Nullus | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arcum | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Frons (Si-face) asperitas (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structure | |||
| Micropipe density | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallum immunditiae | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ante Quality | |||
| Front | Si | ||
| Superficiem metam | Si-face CMP | ||
| Particulas | ≤60ea/laganum (size≥0.3μm) | NA | |
| Exasperat | ≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diameter | NA |
| Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione | Nullus | NA | |
| Ora eu / indents / fractura / hex p | Nullus | ||
| Polytypus areis | Nullus | Cumulativo area≤20% | Cumulativo area≤30% |
| Ante laser vestigium | Nullus | ||
| Back Quality | |||
| Retro metam | C-faciem CMP | ||
| Exasperat | ≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
| Retro defectus (ore eu / indents) | Nullus | ||
| Retro asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Back laser notati | I mm (a summo ore) | ||
| Ore | |||
| Ore | Chamfer | ||
| Packaging | |||
| Packaging | Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging | ||
| *Nota "NA" significat petitionem nullam Items not mentioned may refer to SEMI-STD. | |||
