Descriptio
Semiconductor SiC monocrystallini pii disci epitaxialis e semicera emissa, solutionem ora secans designati ad processuum incrementi epitaxialem provectae destinatum. Semicera specialitas in orbes magni faciendos producendo qui optimam conductivity et diuturnitatem scelerisque offerunt, specimen applicationum inSi EpitaxyetSiC Epitaxy. Haec disci epitaxialis, carbide silicone obducta (SiC), efficaciam et praecisionem processuum vestibulum semiconductoris auget.
nostrumMOCVD Susceptorcompatibilis orbis epitaxialis in variis paroeciis constantem observantiam efficit, inter systemata quaerunt PSS Etching Portitorem;ICP EtchingCarrier, and RTP Carrier. Hic orbis machinatus est ad altas postulationes productionis Siliconis Monocrystallini, idoneus faciens applicationes Susceptoris epitaxiales et alios processuum incrementi semiconductoris. Ferocactus Susceptor et Pancake Susceptor consilium versatilitate pro artifices offerunt, dum usus partium photovoltaicarum applicat suam applicationem ad industriam solarem.
Cum sua robusta constructione, GaN in SiC Epitaxy capaces huius orbis amplius auget valorem suum pro systematibus epitaxialibus provectis. Haec solutio destinatur ad certos, altus-qualitas proventus, ad componendum essentiale elementum pro moderno semiconductore et fabricando photovoltaico.
Principalis Features
I .High puritas SiC graphite iactaret
2. Superior calor resistentia & scelerisque uniformitatem
3. FineSic crystallum iactaretad leni
4. High vetustatem in chemica purgatio
Specificationes principales de CVD-SIC Coatings:
| SiC-CVD | ||
| Density | (g/cc) | 3.21 |
| Flexurae vires | (Mpa) | 470 |
| Scelerisque expansion | (10-6/K) | 4 |
| Scelerisque conductivity | (W/mK) | 300 |
Stipare et Shipping
Facultates copia:
(X) Piece / Mass per mense
Packaging & Delivery:
Stipare: Standard & Strong Pack
Poly pera + Box + Carton + Pallet
Portus:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Tempus ducere:
| Quantitas (Pieces) | 1-1000 | >1000 |
| Est. Tempus (dies) | 30 | Agenda |
