Silicon nitride religata pii carbide
Si3N4 refractionis ceramicae materiae religata SiC, miscetur cum alto puro SIC pollinis subtilis et Siliconis, emisso cursu, reactionem sinterae sub 1400~1500°C. Per curriculum sintering, altam puram Nitrogenium in fornacem implens, tunc silicon cum Nitrogen aget et Si3N4 generabit, Itaque Si3N4 religata SiC materia ex nitride siliconis (23%) et carbide pii (75%) cum materia principali componitur. Materia organica mixta et conformata mixtione, extrusione vel infusione, facta post siccationem et nitrogenizationem.
Features et commoda:
1 .Hsummus temperatus tolerantia
2.High scelerisque conductivity et inpulsa resistentia
3.High mechanica vi et abrasione resistentia
4.Excellent industria efficientiam et repugnantiam corrosio
Praevidemus qualitatem et praecisionem machinae NSiC ceramicae, quae processus per
1.Slip dejectio
2.Extruding
3.Uni Axial Pressing
4.Isostatic Pressing
Materia Datasheet
| >Chemical Composition | Sic | 75% |
| Si3N4 | ≥23% | |
| liberum Si | 0% | |
| Mole densitatis (g/cm3) | 2.70~2.80 | |
| Apparens porositas (%) | 12~15 | |
| Inclinate vires ad XX (MPa) | 180~190 | |
| Inclinate vires ad 1200 ℃(MPa) | 207 | |
| Inclinate vires ad 1350 ℃(MPa) | 210 | |
| Compressive vires ad XX (MPa) | 580 | |
| Scelerisque conductivity in 1200 ℃(w/mk) | 19.6 | |
| Scelerisque dilatatio coefficiens at1200 (x 10-6/C) | 4.70 | |
| Scelerisque inpulsa resistentia | Praeclarus | |
| Maximilianus. temperatus (℃) | 1600 | |
