Silicon nitride religata pii carbide
Si3N4 refractionis ceramicae materiae religata SiC, miscetur cum alto puro SIC pollinis subtilis et Siliconis, emisso cursu, reactionem sinterae sub 1400~1500°C.Tempore sintering cursum, altam puram Nitrogen implens in fornacem, tunc silicon cum Nitrogen aget et Si3N4 generabit, Itaque Si3N4 religata SiC materia ex nitride siliconis (23%) et carbide pii (75%) cum materia principali componitur. Materia organica mixta et conformata mixtione, extrusione vel infusione, facta post siccationem et nitrogenizationem.
Features et commoda:
1 .Hsummus temperatus tolerantia
2.High scelerisque conductivity et inpulsa resistentia
3.High mechanica vi et abrasione resistentia
4.Excellent industria efficientiam et repugnantiam corrosio
Praevidemus qualitatem et praecisionem machinae NSiC ceramicae, quae processus per
1.Slip dejectio
2.Extruding
3.Uni Axial Pressing
4.Isostatic Pressing
Materia Datasheet
| >Chemical Composition | Sic | 75% |
| Si3N4 | ≥23% | |
| liberum Si | 0% | |
| Mole densitatis (g/cm3) | 2.70~2.80 | |
| Apparens porositas (%) | 12~15 | |
| Inclinate vires ad XX (MPa) | 180~190 | |
| Inclinate vires ad 1200 ℃(MPa) | 207 | |
| Inclinate vires ad 1350 ℃(MPa) | 210 | |
| Compressive vires ad XX (MPa) | 580 | |
| Scelerisque conductivity in 1200 ℃(w/mk) | 19.6 | |
| Scelerisque dilatatio coefficiens at1200 (x 10-6/C) | 4.70 | |
| Scelerisque inpulsa resistentia | Praeclarus | |
| Maximilianus.temperatus (℃) | 1600 | |
WeiTai Energy Technologia Co., Ltd. est primarium supplementum ceramicorum semiconductorium provectorum et unicum in Sinis opificem, qui simul potest altam puritatem carbidam ceramicam pii praebere (praesertim in Recrystallized SiC) et CVD SiC efficiens.Insuper etiam in campis ceramicis, sicut alumina, aluminium nitride, zirconia, et nitride pii, etc.
Praecipua nostra producta comprehendunt: carbida siliconis etching discus, cymba carbida pii, cymba silicon carbida lagana (Photovoltaic&Semiconductor), fistula carbida pii fornax, paxillum carbide silicon cantilever, chucks carbide silicon, trabs carbida pii, necnon tunica CVD SiC et TaC. efficiens.Producta maxime adhibentur in industrias semiconductoris et photovoltaicae, ut apparatum crystalli incrementi, epitaxy, enchiridion, packaging, efficiens fornacibus et diffusionibus, etc.
Societas nostra plenam productionem instrumentorum habet ut fingendi, sinterendi, processus, instrumenti efficiendi, etc., quae omnes necessarias producti productionis nexus complere potest et altiorem potestatem producti qualitatis habere;Optimae productionis consilium secundum necessitates producti seligi potest, unde in inferioribus sumptibus et emptoribus productoribus magis competitive providendum est;Possumus mollius et efficaciter schedulas productionis secundum ordinem traditionis requisita et in coniunctione cum ordine systematis administratione online, emptores cum velocius partus tempore certoque providendo.
