Semicera Siliconis Nitridis Ceramici Substratum pinnaculum technologiae materialis provectae repraesentat, praestantes conductivity eximiae et mechanicae artis robustae. Machinator ad altum perficiendi applicationes, hoc subiectum excellit in ambitibus certae scelerisque administratione ac structurae integritati.
Nostri Silicon Nitride Ceramicae Substratae ordinantur ad extremas temperaturas et duras condiciones sustinendas, easque aptas efficiens summus potentiae et frequentiae electronicarum machinarum. Eorum superior scelerisque conductivity efficit dissipationem efficientem caloris, quae pendet ad perficiendum et diuturnitatem electronicarum partium conservandam.
Munus semicerae qualitatis constat in omni Substrato Silicon Nitride Ceramico producimus. Substratum unumquodque fabricatur per processum artis status-of-artis, ut consistent effectus et defectus minimos. Haec alta praecisio sustinet severissimas industriarum exigentias ut autocinetum, aerospace, et telecommunicationem.
Praeter eorum thermas et mechanicas utilitates, subiectae nostrae bonae insulae electricae proprietates offerunt, quae altiore firmitate machinarum electronicarum tuarum conferunt. Intercessionem electricam minuendo et stabilitatem componentis augendi, Substratae Semicerae Silicon Nitride Ceramicae munus cruciale exercent in optimizing technicae operationis.
Semicera Siliconis Nitride Ceramic Substratum eligens significat collocare in producto, quod tum altum effectum et vetustatem tradit. Substratae nostrae machinantur ad usus applicationum electronicarum progressarum, ut cogitationes tuae prosint ab incisione materiae technologiae et eximiae firmitatis.
| Items | Productio | Inquisitionis | phantasma |
| Crystal Parameters | |||
| Polytypus | 4H | ||
| Superficiem sexualis errore | <11-20 >4±0.15° | ||
| Electrical Parameters | |||
| Dopant | n-genus Nitrogenium | ||
| Resistentia | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanica Parametri | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Crassitudo | 350±25 μm | ||
| Prima plana propensionis | [1-100]±5° | ||
| Prima plana longitudo | 47.5±1.5mm | ||
| Secundarium plana | Nullus | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arcum | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Frons (Si-face) asperitas (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structure | |||
| Micropipe density | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallum immunditiae | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ante Quality | |||
| Front | Si | ||
| Superficiem metam | Si-face CMP | ||
| Particulas | ≤60ea/laganum (size≥0.3μm) | NA | |
| Exasperat | ≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diameter | NA |
| Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione | Nullus | NA | |
| Ora eu / indents / fractura / hex p | Nullus | ||
| Polytypus areis | Nullus | Cumulativo area≤20% | Cumulativo area≤30% |
| Ante laser vestigium | Nullus | ||
| Back Quality | |||
| Retro metam | C-faciem CMP | ||
| Exasperat | ≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
| Retro defectus (ore eu / indents) | Nullus | ||
| Retro asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Back laser notati | I mm (a summo ore) | ||
| Ore | |||
| Ore | Chamfer | ||
| Packaging | |||
| Packaging | Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging | ||
| *Nota "NA" significat petitionem nullam Items not mentioned may refer to SEMI-STD. | |||
