Semicera Silicon In Insulator (SOI) Wafer in fronte innovationis semiconductoris est, offerens solitariam electricam et superior thermarum effectus. SOI structura, tenui strato siliconis in subiecto insulante constans, criticas utilitates praebet ad electronicas machinas summus faciendas.
Nostrae lagana SOI ordinantur ad capacitatem parasiticam et cursus lacus lacus minimizandos, qui necessarius est ad explicandum summus velocitatis et humilis potentiae circuitus integrales. Haec technologia provecta efficit ut machinae efficacius operentur, cum meliore celeritate et industria consummatio minuatur, electronicis hodiernis pendet.
Processus provectiores fabricandis a Semicera adhibitis spondent productionem SOI laganae excellenti uniformitate et constantia. Qualitas haec est vitalis applicationis in electronicis telecommunicationum, automotivarum, et dolorum, ubi certa et magnifica opera requiruntur.
Praeter emolumenta electrica, Semicerae SOI lagana superiori thermarum insulationem offerunt, dissipationem ac stabilitatem caloris amplificandae in summa densitate et praecipuis viribus cogitationibus. Hoc pluma maxime valet in applicationibus quae generationem caloris significantes implicant et effectivum scelerisque administrationem requirunt.
De Silicon Insulator Wafer eligendo Semicerae, collocas in productum quod incrementum technologiarum incisionis sustinet. Nostrum officium qualitati et innovationi efficit ut nostra SOI lagana severis exigentiis semiconductoris hodierni industriae occurrant, fundamen- tum pro electronicis machinis generationis praebendo.
| Items | Productio | Inquisitionis | phantasma |
| Crystal Parameters | |||
| Polytypus | 4H | ||
| Superficiem sexualis errore | <11-20 >4±0.15° | ||
| Electrical Parameters | |||
| Dopant | n-genus Nitrogenium | ||
| Resistentia | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanica Parametri | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Crassitudo | 350±25 μm | ||
| Prima plana propensionis | [1-100]±5° | ||
| Prima plana longitudo | 47.5±1.5mm | ||
| Secundarium plana | Nullus | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arcum | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Frons (Si-face) asperitas (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structure | |||
| Micropipe density | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallum immunditiae | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ante Quality | |||
| Front | Si | ||
| Superficiem metam | Si-face CMP | ||
| Particulas | ≤60ea/laganum (size≥0.3μm) | NA | |
| Exasperat | ≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diameter | NA |
| Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione | Nullus | NA | |
| Ora eu / indents / fractura / hex p | Nullus | ||
| Polytypus areis | Nullus | Cumulativo area≤20% | Cumulativo area≤30% |
| Ante laser vestigium | Nullus | ||
| Back Quality | |||
| Retro metam | C-faciem CMP | ||
| Exasperat | ≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
| Retro defectus (ore eu / indents) | Nullus | ||
| Retro asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Back laser notati | I mm (a summo ore) | ||
| Ore | |||
| Ore | Chamfer | ||
| Packaging | |||
| Packaging | Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging | ||
| *Nota "NA" significat petitionem nullam Items not mentioned may refer to SEMI-STD. | |||
