Silicon in Insulator Waferse Semicera designatae sunt ut crescens postulatio solutionis semiconductoris summus perficientur. Nostra SOI lagana praestantiorem electricam observantiam praebent et capacitatem technicae parasiticae reducit, easque aptas facit ad applicationes provectas ut MEMS cogitationes, sensores, et circuitus integrales. Semicerae peritia in lagano productione efficit ut utrumqueSOI laganumcertas praebet, summus qualitas proventus pro technologiae generationis altera necessitates tuas.
nostrumSilicon in Insulator Wafersofferre meliorem proportionem inter sumptus-efficacia et effectus. Cum soi laganum pretium magis competitive fient, haec lagana late in industriarum visibilibus, microelectronicis et optoelectronics includentibus. Princeps praecisionis processus semicerae praestat compagem lagani superioris et uniformitatem, easque aptas facit pro variis applicationibus, ex cavitate SOI laganae ad lagana siliconis vexillum.
Features clavis:
•Qualitas SOI lagana optimized ad faciendum in MEMS et aliis applicationibus.
•Certamen soi laganum sumptus pro negotiis quaerendis solutiones progressas sine qualitate componens.
•Specimen ad extremam technologiam secandas, offerens solitariam electricam et efficientiam in siliconibus systematibus insulatoribus auctus.
nostrumSilicon in Insulator Wafersmachinati sunt ad solutiones perficiendas summus providere, sustinentes proximam undam innovationis in technologia semiconductoris. Utrum tibi opus in cavitatisSOI lagana, Mems strophas, seu Pii in insulator laterales, Semicera lagana liberat, quae summa signa in industria conve- niunt.
| Items | Productio | Inquisitionis | phantasma |
| Crystal Parameters | |||
| Polytypus | 4H | ||
| Superficiem sexualis errore | <11-20 >4±0.15° | ||
| Electrical Parameters | |||
| Dopant | n-genus Nitrogenium | ||
| Resistentia | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanica Parametri | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Crassitudo | 350±25 μm | ||
| Prima plana propensionis | [1-100]±5° | ||
| Prima plana longitudo | 47.5±1.5mm | ||
| Secundarium plana | Nullus | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arcum | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Frons (Si-face) asperitas (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structure | |||
| Micropipe density | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallum immunditiae | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ante Quality | |||
| Front | Si | ||
| Superficiem metam | Si-face CMP | ||
| Particulas | ≤60ea/laganum (size≥0.3μm) | NA | |
| Exasperat | ≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diameter | NA |
| Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione | Nullus | NA | |
| Ora eu / indents / fractura / hex p | Nullus | ||
| Polytypus areis | Nullus | Cumulativo area≤20% | Cumulativo area≤30% |
| Ante laser vestigium | Nullus | ||
| Back Quality | |||
| Retro metam | C-faciem CMP | ||
| Exasperat | ≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
| Retro defectus (ore eu / indents) | Nullus | ||
| Retro asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Back laser notati | I mm (a summo ore) | ||
| Ore | |||
| Ore | Chamfer | ||
| Packaging | |||
| Packaging | Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging | ||
| *Nota "NA" significat petitionem nullam Items not mentioned may refer to SEMI-STD. | |||
