Semicera Silicon Substratae fabricatae sunt ut occurrant severissimae industriae semiconductoris postulationes, singularem qualitatem et praecisionem offerentes. Haec subiecta certa fundamenta variis applicationibus praebent, ab ambitu ad cellulas photovoltaicas integratas, ad optimam observantiam et longitudinem procurandam.
Alta puritas Semicerae Pii Substratorum efficit defectus minimos et notas electricas superiores, quae criticae sunt ad productionem partium electronicarum summus efficientiae. Hic ordo puritatis adiuvat ad minuendam industriam amissionem et ad altiorem efficaciam semiconductoris machinis emendandam.
Semicera technicae artis fabricandi artem publicam adhibet ut pii subiectae uniformitate et planitudine eximia efficiant. Haec praecisio necessaria est ad assequendum congruentes effectus in fabricatione semiconductoris, ubi vel minima varietas potest incursum fabricare et cedere.
Praesto in variis magnitudinibus et speciebus, Semicera Pii Substrat opsonatum ad amplis necessitatibus industriae. Utrum ad acumen microprocessores vel tabulas solares perficias, haec subiecta flexibilitatem et constantiam pro applicatione tua specifica requisita praebent.
Semicera dedicata est ad innovationem et efficaciam in semiconductoris industria sustentandam. Praesens summus qualitas substratorum siliconum, artifices efficimus ut fines technologiae pellant, fructusque evolutionis mercatus postulatis occurrentibus tradentes. Spera Semicera pro solutionibus electronicis et photovoltaicis proxime-generationibus tuis.
| Items | Productio | Inquisitionis | phantasma |
| Crystal Parameters | |||
| Polytypus | 4H | ||
| Superficiem sexualis errore | <11-20 >4±0.15° | ||
| Electrical Parameters | |||
| Dopant | n-genus Nitrogenium | ||
| Resistentia | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanica Parametri | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Crassitudo | 350±25 μm | ||
| Prima plana propensionis | [1-100]±5° | ||
| Prima plana longitudo | 47.5±1.5mm | ||
| Secundarium plana | Nullus | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arcum | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Frons (Si-face) asperitas (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structure | |||
| Micropipe density | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallum immunditiae | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ante Quality | |||
| Front | Si | ||
| Superficiem metam | Si-face CMP | ||
| Particulas | ≤60ea/laganum (size≥0.3μm) | NA | |
| Exasperat | ≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diameter | NA |
| Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione | Nullus | NA | |
| Ora eu / indents / fractura / hex p | Nullus | ||
| Polytypus areis | Nullus | Cumulativo area≤20% | Cumulativo area≤30% |
| Ante laser vestigium | Nullus | ||
| Back Quality | |||
| Retro metam | C-faciem CMP | ||
| Exasperat | ≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
| Retro defectus (ore eu / indents) | Nullus | ||
| Retro asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Back laser notati | I mm (a summo ore) | ||
| Ore | |||
| Ore | Chamfer | ||
| Packaging | |||
| Packaging | Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging | ||
| *Nota "NA" significat petitionem nullam Items not mentioned may refer to SEMI-STD. | |||
