Semicera lagana Silicon adamussim fabricata sunt ut fundamentum pro amplo agmine machinarum semiconductorium, a microprocessoribus ad cellulas photovoltaicae. Haec lagana summa subtilitate et puritate machinantur, in variis applicationibus electronicis operandis invigilandi.
Utens artificiis provectis fabricatum, Semicera Silicon Wafers eximiam planiciem et uniformitatem exhibent, quae magnos res obtinendas in semiconductore fabricando reddit. Hic praecisionis gradus adiuvat in defectibus minimis et meliori altiore electronicarum partium efficientia.
Superior qualitas Semicerae Silicon Wafers in suis electricis notis constat, quae ad auctam machinarum semiconductorium observantiam conferunt. Humilis immunditiae gradus et cristalli qualitas, haec lagana specimen suggestum praebet ad electronicas summus perficientur enucleandas.
Praesto variae magnitudinis et specificationis, Semicerae Silicon Wafers formari possunt ad proprias necessitates diversarum industriarum, in quibus computandis, telecommunicationibus et energia renovandis. Utrum pro magna-scala fabricandi vel inquisitionis propriae, hae unctae certos eventus liberabunt.
Semicera committitur ad incrementum et innovationem semiconductoris industriae sustentandam, praebendo lagana summus qualitas lagana quae summae industriae signa occurrunt. Cum umbilico ad praecisionem et firmitatem, Semicera efficit artifices ut fines technologiae pellant, ut fructus suos in facie mercati manere possint.
| Items | Productio | Inquisitionis | phantasma |
| Crystal Parameters | |||
| Polytypus | 4H | ||
| Superficiem sexualis errore | <11-20 >4±0.15° | ||
| Electrical Parameters | |||
| Dopant | n-genus Nitrogenium | ||
| Resistentia | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanica Parametri | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Crassitudo | 350±25 μm | ||
| Prima plana propensionis | [1-100]±5° | ||
| Prima plana longitudo | 47.5±1.5mm | ||
| Secundarium plana | Nullus | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arcum | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Frons (Si-face) asperitas (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structure | |||
| Micropipe density | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallum immunditiae | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ante Quality | |||
| Front | Si | ||
| Superficiem metam | Si-face CMP | ||
| Particulas | ≤60ea/laganum (size≥0.3μm) | NA | |
| Exasperat | ≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diameter | NA |
| Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione | Nullus | NA | |
| Ora eu / indents / fractura / hex p | Nullus | ||
| Polytypus areis | Nullus | Cumulativo area≤20% | Cumulativo area≤30% |
| Ante laser vestigium | Nullus | ||
| Back Quality | |||
| Retro metam | C-faciem CMP | ||
| Exasperat | ≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
| Retro defectus (ore eu / indents) | Nullus | ||
| Retro asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Back laser notati | I mm (a summo ore) | ||
| Ore | |||
| Ore | Chamfer | ||
| Packaging | |||
| Packaging | Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging | ||
| *Nota "NA" significat petitionem nullam Items not mentioned may refer to SEMI-STD. | |||
