Semicera peccatum Ceramici Campi Substratum praebet solutionem summus perficientur pro variis applicationibus electronicis et industrialibus. Notae propter excellentem conductivity scelerisque et viribus mechanicis, hae subiectae operationem certam in ambitibus exigendis obtinent.
Nostrum Sin (Silicon Nitride) ceramicae ordinantur ad tractandas temperaturas extremas et condiciones accentus altas, eas aptas ad electronicas potestates efficiens et ad machinas semiconductores provectos. Durabilitas eorum et resistentia ad concussionem scelerisque aptam faciunt usus in applicationibus ubi fides et effectus critici sunt.
Praecisio processus fabricandi semicera est, ut singula subiecta simplicia signa rigoris qualitas occurrant. Hic proventus in subiectorum cum crassitudine et superficiei qualitate constanti, quae necessaria sunt ad optimam observantiam in electronicis conventibus et systematibus assequendis.
Praeter commoda scelerisque et mechanica, Sin Ceramici Campi Substrati optimas proprietates electricas insulationis offerunt. Hoc efficit ut minimum electricum impedimentum ac conferat ad altiorem stabilitatem et efficientiam partium electronicarum, ut eorum vitae spatium perficiat.
Semicera Peccatum Ceramicum Campi Substratum eligendo, opus eliges quod scientias materiales cum summo incisura fabricando componit. Nostrum officium qualitati et innovationi praestatis quae subiectae accipis quae summae industriae signis occurrunt et successum inceptis technologicis provectis tuis sustinent.
| Items | Productio | Inquisitionis | phantasma |
| Crystal Parameters | |||
| Polytypus | 4H | ||
| Superficiem sexualis errore | <11-20 >4±0.15° | ||
| Electrical Parameters | |||
| Dopant | n-genus Nitrogenium | ||
| Resistentia | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanica Parametri | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Crassitudo | 350±25 μm | ||
| Prima plana propensionis | [1-100]±5° | ||
| Prima plana longitudo | 47.5±1.5mm | ||
| Secundarium plana | Nullus | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arcum | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Frons (Si-face) asperitas (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structure | |||
| Micropipe density | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallum immunditiae | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ante Quality | |||
| Front | Si | ||
| Superficiem metam | Si-face CMP | ||
| Particulas | ≤60ea/laganum (size≥0.3μm) | NA | |
| Exasperat | ≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diameter | NA |
| Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione | Nullus | NA | |
| Ora eu / indents / fractura / hex p | Nullus | ||
| Polytypus areis | Nullus | Cumulativo area≤20% | Cumulativo area≤30% |
| Ante laser vestigium | Nullus | ||
| Back Quality | |||
| Retro metam | C-faciem CMP | ||
| Exasperat | ≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
| Retro defectus (ore eu / indents) | Nullus | ||
| Retro asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Back laser notati | I mm (a summo ore) | ||
| Ore | |||
| Ore | Chamfer | ||
| Packaging | |||
| Packaging | Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging | ||
| *Nota "NA" significat petitionem nullam Items not mentioned may refer to SEMI-STD. | |||
