Semicerae SOI Wafer (Silicon In Insulator) designatus est ad liberandos superiores electricas solitudo et thermarum effectus. Haec structura laganum porttitor, accumsan in insulating iacum plumam, consectetur fabrica perficiendi et redactionem potentiae consummationis efficit, id specimen pro variis applicationibus summus technicorum facit.
Nostrae SOI lagana eximia beneficia praebent ad ambitus integratos, extenuando capacitatem parasiticam et fabricam velocitatem et efficientiam meliorandi. Hoc pendet pro hodiernis electronicis, in quibus summa operandi et industriae efficientia necessaria sunt pro applicationibus sumptis et industrialibus.
Semicera artificiis fabricandis provectis utitur ad SOI lagana SOI qualitate constanti et constantia producendi. Hae lagana optimae scelerisque velit, ea usui apta in ambitibus ubi dissipatio caloris cura est, ut in summa densitate electronic machinis et administrandi ratio potentiae.
Usus laganae SOI in fabricatione semiconductoris admittit ad progressionem minorum, velocium, et certioris astularum. Semicera officium ad praecisionem machinalis efficit ut signa nostra SOI lagana alta occurrant ad technologias incidendas in campis sicut electronicarum telecommunicationum, automotivarum, et consumptorum.
Eligendo Semicerae SOI Wafer significat collocare in productum quod promoveri technologiarum electronicarum et microelectronicarum sustinet. lagana nostra ordinantur ad augendam observantiam et firmitatem, adiuvantes successum summi technici inceptis ac praestando ut maneas in fronte innovationis.
| Items | Productio | Inquisitionis | phantasma |
| Crystal Parameters | |||
| Polytypus | 4H | ||
| Superficiem sexualis errore | <11-20 >4±0.15° | ||
| Electrical Parameters | |||
| Dopant | n-genus Nitrogenium | ||
| Resistentia | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanica Parametri | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Crassitudo | 350±25 μm | ||
| Prima plana propensionis | [1-100]±5° | ||
| Prima plana longitudo | 47.5±1.5mm | ||
| Secundarium plana | Nullus | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arcum | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Frons (Si-face) asperitas (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structure | |||
| Micropipe density | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallum immunditiae | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ante Quality | |||
| Front | Si | ||
| Superficiem metam | Si-face CMP | ||
| Particulas | ≤60ea/laganum (size≥0.3μm) | NA | |
| Exasperat | ≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diameter | NA |
| Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione | Nullus | NA | |
| Ora eu / indents / fractura / hex p | Nullus | ||
| Polytypus areis | Nullus | Cumulativo area≤20% | Cumulativo area≤30% |
| Ante laser vestigium | Nullus | ||
| Back Quality | |||
| Retro metam | C-faciem CMP | ||
| Exasperat | ≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
| Retro defectus (ore eu / indents) | Nullus | ||
| Retro asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Back laser notati | I mm (a summo ore) | ||
| Ore | |||
| Ore | Chamfer | ||
| Packaging | |||
| Packaging | Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging | ||
| *Nota "NA" significat petitionem nullam Items not mentioned may refer to SEMI-STD. | |||
