Semicera praebet industria-principiumAzyma Carriersmachinatum est ad tutelam superiorem et inconsutilem translationem de lagana semiconductoris delicati per varios gradus processus fabricandi. nostrumAzyma Carriersad accuratam huius semiconductoris fabricationem exigentiis adamussim destinatis, ut integritas et qualitas laganae vestrae omni tempore serventur.
Features clavis:
• Premium Material Construction:Ficti sunt ex GENERALI qualitate, contagium repugnantium materiarum, quae firmitatem et longibilitatem praestant, easque aptas facit ad ambitus mundissimos.
•Subtilitas Design:Features certae socors noctis et machinae securae tenentes ne laganum labium et damnum in pertractatione et vectura.
•Compatibility versatile:Amplis lagani magnitudines et crassitudines accommodat, flexibilitatem praebens variis applicationibus semiconductoris.
•Ergonomic Tractantem:Leve et usor-amicum consilium faciliorem reddit onerationem et exinanitionem, augendi efficientiam perficiendi et minuendi tractandi tempus.
•Optiones customizable:Negotium praebet ut ad specifica requisita, inclusa materialia electionis, amplitudinis adaptationes, ac pro ipso operante integrationem signat.
Adde tuum semiconductor vestibulum processus cum semicera'sAzyma Carriersperfecta solutio ad lagana tua contra contagione et mechanica damna custodienda. Fiducia in nostra obligatione qualitati et innovationi ad fructus liberandos qui non solum signa industriae conveniunt sed excedunt, operas tuas aequabiliter et efficaciter currunt.
| Items | Productio | Inquisitionis | phantasma |
| Crystal Parameters | |||
| Polytypus | 4H | ||
| Superficiem sexualis errore | <11-20 >4±0.15° | ||
| Electrical Parameters | |||
| Dopant | n-genus Nitrogenium | ||
| Resistentia | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanica Parametri | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Crassitudo | 350±25 μm | ||
| Prima plana propensionis | [1-100]±5° | ||
| Prima plana longitudo | 47.5±1.5mm | ||
| Secundarium plana | Nullus | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arcum | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Frons (Si-face) asperitas (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structure | |||
| Micropipe density | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallum immunditiae | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ante Quality | |||
| Front | Si | ||
| Superficiem metam | Si-face CMP | ||
| Particulas | ≤60ea/laganum (size≥0.3μm) | NA | |
| Exasperat | ≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diameter | NA |
| Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione | Nullus | NA | |
| Ora eu / indents / fractura / hex p | Nullus | ||
| Polytypus areis | Nullus | Cumulativo area≤20% | Cumulativo area≤30% |
| Ante laser vestigium | Nullus | ||
| Back Quality | |||
| Retro metam | C-faciem CMP | ||
| Exasperat | ≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
| Retro defectus (ore eu / indents) | Nullus | ||
| Retro asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Back laser notati | I mm (a summo ore) | ||
| Ore | |||
| Ore | Chamfer | ||
| Packaging | |||
| Packaging | Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging | ||
| *Nota "NA" significat petitionem nullam Items not mentioned may refer to SEMI-STD. | |||
