1.AboutPii Carbide (SiC) Epitaxial Wafers
Silicon Carbide (SiC) lagana epitaxialis formata est deponendo unum stratum crystallinum in lagano adhibito carbide pii lagani unius crystalli substrati, plerumque a depositione chemica vaporis (CVD). Inter eos, epitaxialis carbide pii praeparatur, cres- cente pii carbide epitaxiali strato in carbide silicone conductivo substrato, et adhuc in machinis magni faciendis fictis.
2.Pii Carbide Epitaxial WaferSpecifications
Praebere possumus 4, 6, 8 pollices N-type 4H-SiC lagana epitaxial. Laganum epitaxiale magnam latitudinem habet, altam satietatem electronico summa celeritate, alta celeritate electronico gasi duo dimensiva, et campi naufragii vires altae. Hae proprietates resistentiam machinam calidissimam faciunt, resistentiam altam intentionem, velocitatem mutandi velocitatem, humilem resistentiam, parvitatem et pondus leve.
3. SiC Epitaxial Applications
SiC epitaxial laganummaxime adhibitum est in Schottky diode (SBD), oxydatum metallicum semiconductoris effectus campi transistoris (MOSFET) coniunctionis effectus ager transistoris (JFET), coniunctio bipolaris transistoris (BJT), thyristoris (SCR), portae bipolaris insulatae transistoris (IGBT), quae adhibetur. in humili intentione, media intentione et alta intentione. In statu,SiC epitaxial laganaapplicationes enim altae intentione sunt in scaena pervestigationis et progressui per orbem terrarum.
