Semicera tantalum carbidi speciali (TaC) coatings variis componentibus et vectoribus praebet.Semicera ducens processum efficiens efficit tantalum carbidam (TaC) coatings ut altam puritatem, caliditatem stabilitatem et altam tolerantiam chemicae efficiat, productum meliorando qualitatem SIC/GAN crystallorum et epi stratorum (Graphite obductis susceptor TaC) et vitam clavium reac- tium extendere. Usus Tantali carbidis TaC coating est problema extremam solvendi et qualitatem cristalli incrementi solvendi, et Semicera eruptionem solvit technologiam tantalum carbidam efficiens (CVD), ad gradum internationalem provectum attingens.
Adveniente carbide silicon-8 inch (SiC) lagana, requisita pro variis processibus semiconductoribus magis magis restrictis factae sunt, praesertim pro processibus epitaxy ubi 2000 gradus Celsius temperaturas excedere possunt. Traditionales susceptores materiae, sicut graphite carbide silicone obductis, ad has caliditates sublimare tendunt, processus epitaxiae perturbantes. Nihilominus, CVD tantalum carbide (TaC) efficaciter hanc quaestionem alloquitur, temperaturis obstantibus usque ad 2300 gradus Celsius et longioris vitae obsequium praebens. Contactus Semicera's CVD Tantalum Carbide Coated superior Halfmoonad explorandum plura de solutionibus provectis.
apud et sine tac
Post usura TAC (ius)
Porro Semicera'sTaC-coated productslongiorem vitam exhibeant servitii et majori resistentia summus temperatus comparatusSic coatings.Mensuras officinarum demonstravimus nostraTaC coatingsCelsius temperaturis usque ad 2300 gradus per tempora protracta constanter praestare possunt. Subter exempla quaedam exempla nostra sunt;
TaC iactaret susceptor
Graphite cum TaC iactaret reactor
