Silicon Carbide Coated Epitaxial Reactor Barrel

Silicon Carbide Coated Epitaxial Reactor Ferocactus Featured Image

Description:

Semicera summus technicus inceptis in investigationibus materialibus multos annos versatus est, ducens R&D equos et R&D et fabricando integravit.Silicon Carbide Coated Epitaxial Reactor Barrel disputare cum peritis nostris technicis quam ut optimam observantiam et mercatum commodum pro tuis fructibus accipias.

Mitte ad nos inscriptio

Product Detail

Product Tags

Cur Pii Carbide vestitur?

In agro semiconductore, stabilitas uniuscuiusque componentis magni ponderis est pro toto processu.Tamen, in ambitu summus temperatus, graphita facile oxidatur et amittitur, et SiC efficiens firmum praesidium partium graphitarum praebere potest.InSemiceraquadrigis, habemus proprium graphitae purificationis apparatum processus, qui puritatem graphitarum infra 5ppm regere potest.Pii carbidi puritas efficiens est etiam infra 5ppm.

Nostra utilitas, cur Semicera eligat?

-Top-qualis in Sinis forum

Bene officium semper pro vobis, VII XXIV horas

Short date traditionis

Parvus MOQ acceptus et acceptus

Custom officia

Applicationem

Epitaxy Incrementum Susceptor

Silicon/silicon laganum carbidum necessarium est ire per plures processus in electronicis machinationibus adhibendis.Processus magni momenti est epitaxia pii/sic, in qua lagana silicon/sic in basi graphita geruntur.Commoda praecipua Semicerae pii carbide graphite e basi includunt summam puritatem, tunicam aequabilem, et praelongam vitam servitutis.Magnam etiam habent resistentiam chemicam et stabilitatem scelerisque.

Pii Epitaxy Susceptor

Pii Carbide Epitaxy Susceptor

DUXERIT Chip Productio

Per amplam tunicam reactoris MOCVD, basis planetarium seu tabellarium laganum subiectum movet.Effectio basis materiae magnam vim habet in qualitate efficiens, quae vicissim exiguo e assulae magnitudine afficit.Radix semicera pii carbide iactata auget efficientiam fabricandi summus qualitas lagana DUXERIT et minimizet necem declinationis.Etiam additiciorum partium graphitarum pro omnibus MOCVD reactoribus in usu nunc suppeditamus.Patibulum quovis fere componente cum carbide silicone tunica possumus, etsi diametrum componentis usque ad 1.5M est, possumus tamen tunicam cum carbide pii.

DUXERIT Epitaxy Susceptor

Campus semiconductor, oxidatio diffusionis processuum, ctc.

In processu semiconductori, oxidationis processus expansionis altam puritatem producti requirit, et apud Semicera morem exhibemus et CVD operas efficiens pro pluribus partibus carbidi siliconis.

Sequens pictura ostendit carbidam asperam processus pii semicaei slurry et carbidi pii fistulae fornacis quae in 100 purgatur.0-levelpulvis-libercubiculum.Operarii nostri ante membranam laborant.Puritas carbidi Pii nostri attingere potest 99,98%, et puritas tunicae sicarum maior est quam 99,9995%.