Hyacintho/viridis DUXERIT epitaxy

Description:

Societas nostra processus SiC efficiens officia per methodum CVD in superficie graphitarum, ceramicorum et aliarum materiarum praebet, ita ut gasi speciales carbo et silicon in caliditate continentes agunt ad altam puritatem SiC moleculae, moleculae in superficie materiae iactatae depositae; formatam SIC tutela iacuit.


Product Detail

Product Tags

Marisque:

1. caliditas oxidationis resistentia;

oxidatio resistentia adhuc valde bona est cum siccus quantus est 1600 C.

2. Puritas alta : factae depositionis vaporis chemicae sub conditione chlorinationis caliditatis.

3. Exesa resistentia: durities alta, superficies compacta, particulae tenuis.

4. Corrosio resistentiae: acidum, alcali, salis et reagentia organica.

 Principalis FormulariumCVD-SIC Coating

Sic-CVD Properties

Crystal Structure FCC β phase
Density g/cm 3.21
duritia Vickers duritia 2500
Frumenti Size μm 2~10
Puritas chemica % 99.99995
Calor Capacitas J·kg-1 ·K-1 640
Sublimatio Temperature 2700
Fortitudo Felix MPa (RT 4-punctum) 415
Modulus Gpa (4pt bend, 1300℃) 430
Scelerisque Expansion (CTE) 10-6K-1 4.5
Scelerisque conductivity (W/mK) 300

 

 
DUXERIT Epitaxy
-1

  • Previous:
  • Deinde: