Semicera superbus est exhibereGa2O3Substratum, acies materialis ad electronicas et optoelectronicas potentias verterendas.Gallium Oxide (Ga2O3) Substratumnotae sunt pro fascia sua ultra-lata, easque summos potentiae et frequentiae machinas aptas facit.
Features clavis:
• Ultra-Bandgap: Ga2O3 bandgap praebet circiter 4.8 eV, signanter augens facultatem ad altas voltages et temperaturas tractandi comparata materiis traditis sicut Silicon et GaN.
• High Breakdown Voltage: Cum eximia naufragii campi, theGa2O3Substratumperfectus est ad machinas quae requirit altam intentionem operationis, ad maiorem efficaciam et constantiam procurandam.
• Stabilitas scelerisque: Superior materialis stabilitas scelerisque id aptam facit applicationibus in extremis ambitibus, observantiam servans etiam sub condicionibus asperis.
• Applications Versatiles: Specimen pro usu in potentia transistores, UV optoelectronic machinas, et plus praebens fundamentum robustum ad systemata electronic provecta.
Experiri futurum technologiae semiconductoris cum semicera'sGa2O3Substratum. Propositum est ut crescentibus postulatis altae potentiae et frequentiae electronicarum altae occurreret, hoc subiectum novum vexillum perficiendi et diuturnitatis ponit. Fiducia Semicera ut solutiones ametincas pro tuis applicationibus difficillimis eruat.
| Items | Productio | Inquisitionis | phantasma |
| Crystal Parameters | |||
| Polytypus | 4H | ||
| Superficiem sexualis errore | <11-20 >4±0.15° | ||
| Electrical Parameters | |||
| Dopant | n-genus Nitrogenium | ||
| Resistentia | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanica Parametri | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Crassitudo | 350±25 μm | ||
| Prima plana propensionis | [1-100]±5° | ||
| Prima plana longitudo | 47.5±1.5mm | ||
| Secundarium plana | Nullus | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arcum | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Frons (Si-face) asperitas (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structure | |||
| Micropipe density | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallum immunditiae | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ante Quality | |||
| Front | Si | ||
| Superficiem metam | Si-face CMP | ||
| Particulas | ≤60ea/laganum (size≥0.3μm) | NA | |
| Exasperat | ≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diameter | NA |
| Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione | Nullus | NA | |
| Ora eu / indents / fractura / hex p | Nullus | ||
| Polytypus areis | Nullus | Cumulativo area≤20% | Cumulativo area≤30% |
| Ante laser vestigium | Nullus | ||
| Back Quality | |||
| Retro metam | C-faciem CMP | ||
| Exasperat | ≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
| Retro defectus (ore eu / indents) | Nullus | ||
| Retro asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Back laser notati | I mm (a summo ore) | ||
| Ore | |||
| Ore | Chamfer | ||
| Packaging | |||
| Packaging | Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging | ||
| *Nota "NA" significat petitionem nullam Items not mentioned may refer to SEMI-STD. | |||
