Gallium Nitride Substrates|GaN Wafers

Description:

Gallium nitride (GaN), sicut materia carbidi siliconis (SiC) ad tertiam generationem materiae semiconductoris cum lato cohortis latitudine hiatus, cum magna rima latitudine cohortis, alta conductivity scelerisque, satietatem migrationis altae electronicae, et altae naufragii electrici campi praestantissimi indolem.GaN cogitationes amplis applicationis exspectationes habent in magna frequentia, alta velocitas et potentia alta agros exigunt ut energiae salutaris lucendi, proiectio laser ostentatio, nova vehicula energiae, euismod dolor, 5G communicatio.

Mitte ad nos inscriptio

Product Detail

Product Tags

Tertia generatio materiae semiconductor maxime includunt SiC, GaN, adamas etc., quia fascia eius latitudo (Eg) maior est quam vel aequalis volts 2.3 electronicis (eV), etiam notus ut latum band lacunam materiae semiconductoris.Comparata cum materia prima et secunda generatione semiconductoris, tertia generatio semiconductoris materiae commoda altae conductivitatis scelerisque, altum naufragii electrici campi electrici, altae migrationis electronici saturatae et altae energiae compaginationis, quae novis requisitis technologiae electronic modernae pro altae occurrere potest. temperatura, alta potestas, alta pressio, alta frequentia et radiatio resistentia et aliae condiciones graues.Magnam applicationem habet exspectationes in campis defensionis nationalis, aviationis, aerospace, explorationis olei, repositionis opticae, etc., et plus quam L% in multis opportuna industriarum industriarum opportunarum plus quam vis minuere potest ut communicationis socialis, energiae solaris, fabricatione autocineta; semiconductor illuminationis, dolor eget, et apparatum minuere potest plus quam 75%, quod est miliarium momenti ad progressionem scientiae humanae et technicae artis.

Item	Gan-FS-CU-C50	GaN-FS-CN-C50	GaN-FS-C-SI-C50
Diameter 晶圆直径	50.8 ± 1 mm
Crassitudo厚度	350 ± 25 μm
propensio 晶向	C planum (0001) off angulum versus M-axem 0.35 ± 0.15°
Primus Flat 主定位边	(1-100) 0± 0.5°, 16± 1 mm
Secundarium Flat 次定位边	(11-20) 0± 3°, 8± 1 mm
Conductivity 导电性	N-type	N-type	Semi-Insulating
Resistentia (300K) 电阻率	< 0.1 Ω·cm	< 0.05 Ω·cm	> 106 Ω·cm
TTV 平整度	≤ 15 μm
ARCUS 弯曲度	≤ 20 μm
Ga Face Superficies asperitas Ga面粗糙度	< 0.2 um (politum);
	vel <0,3 um (expolitio et superficies curatio epitaxy)
N faciei Superficies asperitas N面粗糙度	0.5 ~1.5 μm
	optio: 1~3 um (subtilem terram);<0.2 um (polita)
Luxatio densitas 位错密度	Ab 1 x 105 ad 3 x 106 cm-2 (a CL)*
Macro Defectus Density 缺陷密度	< 2 cm-2
Utilis Area 有效面积	> XC% (ore ac tortor defectibus exclusio)
Nativus secundum exigentias mos, variae structurae siliconis, sapphiri, SiC schedae epitaxialis GaN nituntur.