PARS I
Crucibilis, semen possessor et rector annuli in SiC et AIN unius fornacis cristallinae per methodum PVT crevit
Ut ostenditur in Figura 2 [1], cum vapor corporalis methodus transportandi (PVT) praeparandi SiC adhibeatur, crystallum semen in regione temperatura relative humilis est, materia rudis SiC in regione calidissima respective (supra 2400℃) et putrescit materia ad SiXCy producendum (maxime inclusa Si, SiCq₂, Si₂C, etc.).Vapor phase materia ab caliditate regionis ad semen cristallum in regione humilitatis temperatura transfertur, fsemen nuclei formans, crescens et singula crystalla generans.Materies campi thermarum in hoc processu, ut uasculum, fluere rector anulus, semen crystallum possessor, debet resistere caliditas et non inquinare materias crudas SiC et SiC singula crystalla.Similiter elementa calefactoria in augmento AlN unius crystalli necesse est resistere vapori Al, N₂corrosio, et necesse est habere caliditatem eutecticam magno (cum AlN) alind tempus praeparationis crystalli.
Compertum est SiC[2-5] et AlN[2-3] paratum abTaC iactaretgraphitae materiae scelerisque campi mundiores erant, nullae fere carbonis (oxygeni, nitrogenii) et aliae immunditiae, pauciores in ore defectus, resistivity minor in unaquaque regione, et densitas microporis et densitas foveae signanter imminutae sunt (post KOH etching), et qualitas crystalli. valde melius.Autem,TaC uasculumpondus damnum rate paene nulla est, species non perniciosa est, REDIVIVUS (vita usque ad 200h), potest emendare sustinebilitatem et efficientiam talis praeparationis crystalli unius.
Fig.2. (a) Schematica schematismi SiC singularis regulae crystalli crescentis fabrica per modum PVT
(b) TopTaC iactaretsemen bracket (including semen SiC)
(c)TAC-cotated graphite dux anulus
PARS II
MOCVD GaN iacuit epitaxial calefactorio crescente
Ut in Figura 3 (a), MOCVD GaN incrementum est depositionis technologiae vaporum chemicorum utens compositione organometrica compositione ut membranae epitaxiales per vaporem crescant.Temperatura accuratio et uniformitas in cavitate efficiunt calefacientem nucleum principalissimum armorum MOCVD.Utrum substratum calefieri possit cito et uniformiter per longum tempus (sub infrigidatione iterata), stabilitas in caliditate (resistentia gas corrosioni) et puritas cinematographici directe afficit qualitatem depositionis cinematographicae, crassitudinis constantiae; et observantia DOLO.
Ut efficiendi et redivivus efficientia calefacientis in systemate MOCVD GaN emendare possit;TACcalefacientis graphite feliciter introducta est.Comparatus cum strato gaN epitaxiali calefactorio conventionali (utendo pBN coatingis), GaN epitaxialem stratum ab TaC calefaciente crevit, eandem fere habet structuram crystallinam, crassitudinem uniformitatem, defectus intrinsecos, immunditiam doping et contaminationem.InsuperTaC coatinghabet humilis resistivity et emissivitatis superficies humilis, quae efficientiam et uniformitatem calefacientis emendare potest, inde minuens vim consummationis et caloris detrimentum.Porositas liturae aptari potest moderandis processuum parametris ad ulteriores rationes radiorum meliores calefacientis et ad vitam servitii extendendam[5].Haec commoda faciuntTaC iactaretcalentium graphite electum optimum ad systemata incrementum MOCVD GaN.
Fig.3. (a) Schematica schematismi MOCVD fabrica ad incrementum epitaxial GaN
(b) Formata TAC graphite calefacientis inaugurata in MOCVD setup, excluso basi et bracket (ostensam monstrans basim et bracket in calefaciendo)
(c) TAC graphite calefacientis post 17 GaN epitaxial incrementum.[6]
PARS / 3
Obductis susceptor pro epitaxy (laganum carrier)
Wafer tabellarius elementum magni ponderis est ad parandum SiC, AlN, GaN et alia tertia classis lagana semiconductor et incrementum epitaxiale laganum.Plerique lagani tabellarii e graphite fiunt et cum SiC coatingis obductis ad corrosionem a vaporibus processibus obductis, cum epitaxiali temperaturae latitudine 1100 ad 1600.°C, et corrosio resistentia tunicae tutelae in vita lagani tabellarius crucialus agit.Eventus ostendunt corrosionem ratem TaC esse 6 temporibus tardiorem quam SiC in caliditate ammoniaci calidi.In caliditas hydrogenii, corrosio rate etiam plus quam 10 times tardior quam SiC.
Probatum est ab experimentis fercula cum TaC obducta demonstrare bonam convenientiam in luce caerulea GaN MOCVD processu et immunditias non introducere.Post limitata compositiones processuum, ductores increverunt utentes vehicula TaC, eandem observantiam et uniformitatem exhibent sicut portatores conventionales SiC.Melior est igitur vita servitutis TAC-cursilis quam nudo atramento lapideoSic iactaretgraphite grabatis.
Post tempus: Mar-05-2024