【 Summarium descriptio In modernis C, N, B et aliis non-oxydatis refractionis altae technici rudis materiae, pressus atmosphaerici sinterae.Pii carbideamplus et frugi, et emery seu refractorius arena dici potest.PurePii carbideest hyalina pellucida crystallus.Quae est igitur materia structurae et proprietates rerum?Pii carbide?
Materia structura pressionis atmosphaericae sinteredPii carbide:
Pressura atmosphaerica sinteredPii carbideusus industriae est levis flavus, viridis, caeruleus et niger pro specie et argumento spurcitiarum, et puritas differt et diaphaneitas differt.Pii carbide cristalli structura dividitur in sex verbum seu adamas formatum plutonium et cubicum plutonium-sic.Plutonium-sic varias deformationum formas ob diversum ordinem positis carbonis et pii atomorum in structura crystalli, et plusquam 70 genera deformationum inventa sunt.beta-SIC conversis ad alpha-SIC supra 2100. Processus carbidi pii industrialis uritur cum vicus arenae summus et cocus petrolei in fornace resistente.Pii carbide expoliti stipites oppressi sunt, purgatio acido-basi, separatio magnetica, delectu aquae protegendo vel ad varias particulas magnitudine productorum.
Materiae notae atmosphaerae pressuraesintered Pii carbide:
Carbida Pii carbida bonam habet stabilitatem chemicam, scelerisque conductivity, scelerisque expansionem coefficientem, resistentiam gerunt, ideoque praeter usum laesurarum multi usus sunt: exempli causa, pulveris carbidi pii in pariete interiori turbinis impulsoris vel cylindrici claui obductis est. peculiaris processus, qui meliorem induere resistentiam potest et vitam 1 ad 2 tempora extendere.Factus caloris repugnans, parvitas momenti, leve pondus, altum robur materiae refractionis summus gradus, vis efficientiae valde bona est.Gradus carbidi pii (including about 85% SiC) optimum est deoxidizer ad celeritatem chalybem augendam et facile temperans compositionem chemicam ad qualitatem chalybem emendandam.Praeterea pressio atmosphaerica carbide siliconosa sinted etiam late adhibetur in fabricando partes electricas carbo carbonis siliconis.
Pii carbide durissima est.Morse durities est 9.5, secundum solum difficile adamantis mundi (10), semiconductor cum optima conductivity scelerisque, oxidationis in calidis temperaturis resistere potest.Silius carbida saltem LXX genera crystallina habet.Carbida Plutonium-silicon communis est isomer, quae temperaturas supra 2000 format et structuram crystallinam hexagonalem habet (similis wurtzite).Pii carbide sub atmosphaerico pressura
Applicationem of *Pii carbidein semiconductor industriam
Silius carbide semiconductoris industriae catenae maxime includit carbidam pii pulveris summi puritatis, substrata una crystalli, scheda epitaxialis, partium potentiarum, moduli packaging et applicationes terminales.
1. Unius crystalli substratus Unius crystalli substratus est semiconductor sustinens materiam, conductivam materiam et incrementi epitaxialem subiectam.In praesenti, methodi incrementi SiC unius crystalli includunt modum translationis vaporum physicum (modum PVT), methodum liquidum phase (modum LPE), et caliditas chemicae methodi vaporum depositionis (HTCVD methodus).Pii carbide sub atmosphaerico pressura
2. scheda epitaxialis Silicon scheda carbida epitaxialis, scheda carbida pii, velum unum cristallum (stratum epitaxiale) cum cristallo substrato eodem directo, quod quaedam requisita ad carbidam pii substratum habent.In applicationibus practicis, ampla fascia interstitio semiconductoris machinae paene omnia in strato epitaxiali fabricata sunt, et ipsum chip silicon substratum tantum adhibetur, inclusa strato epitaxiali GaN substrata.
3. Summus puritas carbidi pii pulveris Archi-puritatis pii carbidi pulveris est materia rudis ad incrementum carbidi pii unius crystalli per methodum PVT, et puritas producti directe afficit incrementi qualitatem et qualitates electricas carbidi Pii unius crystalli.
4. Vis fabrica est late band potentia facta ex materia carbide pii, quae proprietates caliditatis, altitudinis frequentiae et efficientiae altae habet.Secundum formam operativam de fabrica, potentia Sicc machinarum copia maxime includit potentiam diode et tubum transitum potentiae.
5. Terminatio in applicationibus semiconductoris tertiae generationis, carbida pii semiconductores commoditatem habent ad gallium nitridem semiconductorem complementum.Ob conversionem altam efficientiam, indolem humilem calefactionem, leves aliasque utilitates machinarum SiC, postulatio industriae inferioris augere pergit, et inclinatio ad cogitationes SiO2 reponere est.
Post tempus: Oct-16-2023