-
What Are Power Semiconductors? Intellegere Celeri huius Fori augmentum!
Sicut unus e primoribus societatibus in industria, Semicera dedicata est solutiones porttitorlibus nostris clientibus praebendas. In hoc articulo, notionem semiconductorum virtutis explorabimus et intelligentiam consequemur quare hoc mercatum celeri incremento experitur. Potestas Intelligendi Semiconduc...Read more -
Productio technologiae et usus principales isostatice expressi graphite
Graphitae Isostaticae pressae novum genus materiae graphitae est, quae optimam electricam conductivity, caliditatem resistentiae et stabilitatis chemicae habet, ideoque late in multis campis technicis summus usus est. Haec charta singillatim inducet processum productionis, principale...Read more -
Explorans semiconductor pii carbide epitaxial disks: euismod commoda et applicationem prospectus
In hodierno campo technologiae electronicae, materiae semiconductoris munus cruciale agunt. Inter eas, carbide silicon (SiC) ut latum band intervallum semiconductoris materiae, cum suis commodis praestantibus perficiendi, ut altae electrici naufragii, altae saturitatis celeritas, h...Read more -
Graphite dura sentitur - materia porttitor, novam scientiam et technologiam aperiens
Ut novam graphite materiam gravem sentiebam, processus fabricandi satis singularis est. Per processum mixtionem et sentientem, fibrae graphenae et fibrae vitreae penitus se habent ad novam materiam formandam, quae tam altam electricum conductivity ac robur graphenae altum retinet et ...Read more -
Quid est semiconductor pii carbide (SiC) laganum
lagana semiconductor pii carbide (SiC) lagana, haec nova materia sensim in annis proximis emersit, cum suis singularibus corporis et chemicis proprietatibus, novum vigorem pro industria semiconductoris injecit. lagana SiC, monocrystal utens materies rudis, diligenter g...Read more -
Silicon carbide laganum processum productionis
laganum carbide Pii factum est ex pulvere pii puritatis altae et puritatis carbonis pulveris altae ut materiae rudis, et crystallum carbide pii per modum translationis corporis vaporis increvit (PVT), et in carbide laganum pii processit. Rudis materialis synthesis. Summum pudicitiam sili...Read more -
Pii carbide coating: nova amica semiconductoris industria
Celeri evolutione semiconductoris industriae, nova materia carbide siliconis (SiC) efficiens paulatim in industriam materialem fit. Silicon carbide graphite iactatum late in caliditas/alta intentione semiconductor electronic prod...Read more -
Pii carbide coatings: Novae breakthroughs in materia scientia
Cum scientiarum et technologiarum evolutione, nova materia pii carbida vestiens paulatim vitam nostram mutans. Haec tunica, quae in superficie partium praeparatur depositione vaporum physico vel chemico, spargit et aliis modis, magnam att... attraxit.Read more -
SiC Coated Graphite Ferocactus
Sicut unum nuclei partium MOCVD instrumenti, basis graphita est ferebat et calefaciens corpus subiecti, quod directe determinat uniformitatem et puritatem cinematographici materiae, ita qualitas eius directe afficit praeparationem schedae epitaxialis, et ad . .Read more -
Pii carbide coating modum parandi
In praesenti, methodi praeparationis SiC efficiendi maxime methodum gel-sol includunt, methodum embedendi, methodum vestiendi peniculus, methodum plasma spargit, methodum reactionis chemicae gas (CVR) et methodum chemicam vaporum depositionis (CVD). Methodus Embedding: Methodus quaedam magna...Read more -
Congratulations to our（ Semicera）, socio SAN' Optoelectronics, ex ortu in pretium Stock.
Oct. 24 -- Communes in San'an Optoelectronics ascenderunt quantum 3.8 hodie post semiconductorem Sinicum fabricam suam officinam carbidam Pii dixit, quae firmam autocineti iuncturam solidi cum tech giganteo ST Microelectronics semel peractum est suppeditabit. .Read more -
Breakthrough in Silicon Carbide Epitaxy Technologiae: Via in Silicon/Carbide Reactor Epitaxial Vestibulum in Sina
Horruit nos nuntiare causam praevaricationis in nostro comitatu peritiam in technologia carbide pii epitaxy. Nostra officina superbissima est unum e principibus in Sinis fabricare posse ut reactores epitaxiales silicon/carbide gignant. Cum nostro studio ad eximiam qualitatem...Read more