Pii carbide (SiC)materia commoda bandgap latae, magnae conductivitatis scelerisque, altum roboris agri naufragii critici, et velocitatis electronici altum saturatum egisse, in semiconductore agro fabricando valde promittens. SiC singula crystalla generatim per modum transvehendi vaporum physicorum efficiuntur. Huius methodi gradus specifici involvunt pulverem SiC ponendi in fundo graphice uasculi et semen crystallum SiC ponendo in cacumine uasis. In graphiteuasculumad sublimationem temperiem SiC calefactam, faciens pulveris SiC in substantias Phasi vaporis, ut Si, vaporis, Si2C, et SiC2 putrescere. Sub impressione clivi temperaturae axialis, hae substantiae vaporatae sublimatae ad cacumen uas et in superficie crystalli Seminis SiC condensant, in crystalla singula SiC crystallantia.
In statu diametri seminis cristalli ususSiC unum cristallum incrementumoportet inserere scopum crystal diam. Per incrementum, semen cristallum figitur in semine possessor in summitate uase tenaces utens. Sed haec methodus defixio seminis crystalli ducere potest ad quaestiones sicut evacuationes in strato stiptico ob factores sicut praecisio seminis possessoris superficiei et uniformitas tunicae tenaces, quae in defectibus sexangulis vacui provenire possunt. Haec includunt meliorem planae graphitae planitiem, aequabilitatem densitatis tenaces iacuit augens, et addito strato quiddam flexibile. Quamvis haec conatus, adhuc agitur cum densitate tenaces iacuit, et periculum est seminis crystalli elongationis. Modum vinculi adhibendolaganumut charta graphita et imbricata in cacumine uasis, densitas tenaces iacuit emendari potest, et laganum extensio impediri potest.
1. Schema experimentale:
Lagana usus in experimento praesto sunt commerciumVI inch N-genus SiC lagana. Photoresista adhibetur nentris tunicae utens. Adhaesio fit utendo semine fornacei torcularis calidi sui evolutae.
1.1 Semen Crystal Fixation Scheme:
Nunc, SiC semen crystalli adhaesio machinae in duo genera dividi potest: genus tenaces et genus suspensionis.
Type tenaces colui cultum (Figura I): Hoc involvit vinculum theSiC laganumad graphite laminam iacuit graphite charta quasi quiddam iacuit ad tollendum hiatus interSiC laganumet lammina graphita. In ipsa productione, vis compages inter chartam graphitam et bracteas graphitae infirma est, ducens crebras seminis cristallinas disiunctionis in processu magno incrementi caliditatis, inde in defectu incrementi.
Suspensionis Typus Schema (Figura 2): Typice pellicula densa carbonis in compage superficiei lagani SiC lagani carbonizationis vel methodi glutinantis gluten utens creatur. TheSiC laganumdeinde inter duas laminas graphite coagmentatas et in cacumine graphicae uasculi collocatus, stabilitatem obtinens dum cinematographicum carbonis laganum protegit. Sed cinematographicum carbonis creans per tunicam pretiosum est et ad productionem industrialem non idoneam. Methodus glutinis carbonizationis inconstans qualitatem cinematographici carbo reddit, difficilem obtinet cinematographicum carbo carbonis cum adhaesione valida. Accedit quod laminae graphitae sonantes efficacem incrementum lagani spatium minuunt, partem superficiei eius claudentes.
Ex his duobus technis nititur, nova ratio tenaces et imbricata proponitur (Figura 3);
Pellicula carbonis carbonis spissa relative creatur in compage superficiei lagani SiC utens methodo gluten carbonizationis, ut nullas magnas luces lacus sub illuminatione obtineat.
laganum SiC cum cinematographico carbo obtectum cum charta graphite coniungitur, cum superficies ligaturae lateris cinematographici carbonis. Stratum tenticum sub lumine uniformiter nigrum apparere debet.
Charta graphita ex lamellis graphitis coagmentata est, et supra graphite uasculum ad crystallum incrementum suspensum est.
1.2 Tenaces:
Viscositas photoresist signanter afficit crassitudinem cinematographicam aequalitatem. In eodem cursu filo, viscositas inferior tenuior et uniformis membranae tenaces consequitur. Ergo humilis viscositas photoresist eligitur in applicatione requisita.
In experimento compertum est viscositas adhaesivae carbonising vim compaginem afficit inter cinematographicam carbonem et laganum. Maximum viscositas difficultatem facit ad applicandum uniformiter utendo nucleo tunicae, dum viscositas humilis in vi compaginationis debilis consequitur, ducens ad cinematographicum carbonis crepuit in processibus subsequentibus ligaturae ob tenaces fluxus et pressionis externae. Viscositas carbonis tenaces per experimentalem inquisitionem decrevit esse 100 mPa·s et compages viscositas tenaces ad 25 mPa·s posita est.
1.3 Vacuum Opus:
Processus creandi cinematographicum carbonis in SiC laganum involvit carbonizationem adhaesivum in superficie lagani SiC, quod peragi debet in ambitu vacuo vel argon-tutatis. Experimentales eventus ostendunt ambitum argon-tutum magis conducere ad creationem cinematographici carbonis quam magnum ambitum vacuum. Si ambitus vacuus adhibetur, campus vacuus ≤1 Pa sit.
Processus ligaturae Seminis crystalli SiC compagem implicat laganum SiC ad chartam graphita/graphitam. Considerans effectum erosivum oxygenii in materiis graphitis in calidis temperaturis, hic processus sub condicionibus vacuis agendus est. Ictum vacui gradus diversorum in strato tenaces studuit. Eventus experimentales in Tabula monstrantur 1. Ex his constare potest, sub humilibus conditionibus vacuo, oxygeni moleculae in aere non omnino removeri, ducens ad stratis tenaces incompletis. Cum planum vacuum infra 10 Pa est, effectus erosivus oxygenii molecularum in strato tenaces signanter reducitur. Cum planum vacuum est infra 1 Pa, effectus erodens penitus removetur.
Post tempus: Iun-11-2024