Augmentum comprobatio
ThePii carbide (SiC)semen cristallum conficitur, sequens processum delineatum et convalescit per incrementum crystallorum SiC. Incrementum suggestum adhibitum erat fornax inductionis auto-evoluta SiC cum incremento caloris MMCC℃, incrementum pressionis CC Pa, incrementum durationis 100 horarum.
Praeparatio implicari aVI inch SiC laganumcarbo carbonis et pii facies cum politis, a .laganumcrassitudo uniformitatis ≤10 µm, et faciei siliconis asperitas ≤0.3 nm. A 200 mm diametro, 500 µm charta graphita crassa, cum glutine, alcohol, linteolo etiam sine linteo praeparata erant.
TheSiC laganumnent-patebat cum tenaces in compage superficiei pro 15 secundis ad 1500 r/min.
Tenaces in compage superficieiSiC laganumexaruit in calidum laminam.
In graphite charta etSiC laganum(Superficies bonding deorsum spectante) ab imo ad summum reclinatae sunt et in semine cristalli fornacei torcularis calidi collocati sunt. Pressio calida peracta est secundum processum presul aestus. Figura 6. ostendit semen cristalli superficiei post processum incrementum. Videri potest quod superficies cristalli semen lenis est nullis notis delaminationis, significans semen crystallorum SiC praeparatum in hoc studio bonam qualitatem habere et stratum densum compagem habere.
conclusio
Considerans compagem hodiernam et pendentem methodos ad seminis crystallum fixificationis, methodus acervatio ligaturae et pensilis proposita est. Hoc studium in praeparatione cinematographici carbonis feruntur etlaganum/ graphite charta compages processus huius methodi requisiti, conclusiones sequentes ducentes:
Viscositas tenaces requisita pro pellicula carbonis in lagana 100 mPa·s debet esse cum carbonizatione temperatura ≥600℃. Optima carbonizationis ambitus est atmosphaera argon-tuta. Si sub vacuis conditionibus agitur, gradus vacuum ≤1 Pa esse debet.
Ambae carbonizationis et compages processuum gravem temperaturam curationem requirunt carbonizationis et ligaturae adhaesiones in superficie lagana ad gasos a tenaces expellendos, ne decorticationes et vacui defectus in compage inter carbonizationem iniciantur.
Vinculum tenaces pro lagano/graphite charta viscositatem 25 mPa·s habere debet, cum pressione ≥15 kN. Durante compage processus, temperatura lente elevari debet in range temperatura (<120℃) per circiter 1.5 horas. Crystallus incrementum SiC verificationis confirmavit praeparatum SiC semen crystallorum requisitis ad cristallum quale SiC incrementum, cum superficiebus cristallilibus seminibus levibus et nullas praecipitat.
Post tempus: Iun-11-2024