TheMOCVDmethodus est una e processibus firmissimis nunc in industria adhibitis ad altam qualitatem unius membranae crystallini tenuioris crescendi, qualis est una periodus epilayorum InGaN, materiarum III-N, et pellicularum semiconductorum cum multis quantis bene structuris ac magni momenti in fabricare semiconductorem et machinas optoelectronic.
TheSiC coating MOCVD susceptorest speciale laganum possessor obductis Pii carbide (SiC) forepitaxial incrementum metalli chemici depositio vaporum organicarum (MOCVD) processus.
SiC coating habet optimam chemicam resistentiam et scelerisque stabilitatem, eamque optimam electionem pro susceptoribus MOCVD in processibus epitaxialibus exigendis adhibitam habet.
Clavis elementum processus MOCVD susceptor est, quae elementum est praecipuum ad uniformitatem et qualitatem membranarum tenuium productorum curandam.
Quid est susceptor? Susceptus est elementum speciale adhibitum in processu MOCVD ad substratum sustinendum et calefaciendum in quo tenuis pellicula reponitur. Multa munera habet, inclusa energiae electromagneticae absorbentis, eam in calorem convertens, et calori in subiecto aequaliter distribuens. Haec calefactio uniformis essentialis est ad incrementum membranarum tenuium uniformium cum accurata crassitudine et compositione.
Genera susceptorum:
1. Graphite susceptores: Graphite susceptores saepe obducta tutela iacuit utPii carbide (SiC)quae notum est propter suam summam scelerisque conductivity et stabilitatem. TheSic coatingSuperficies dura, tutela praebet, quae corrosioni et degradationi in calidis temperaturis resistit.
2. Pii carbide susceptores (SiC) susceptores: Hi susceptores omnino ex SiC facti sunt et stabilitatem praestantem scelerisque habent et resistentiam gerunt. Susceptores SiC sunt apprime idonei processibus summus temperatura et ambitus mordax.
Quomodo susceptores operantur in MOCVD:
In processu MOCVD, praecursores introducuntur in cameram reactionem ubi putrescunt et agunt ut tenuem cinematographicam in substratum formant. Susceptus munus vitale exercet, ut subiectum aequaliter calefiat, quod est criticum ad obtinendas proprietates cinematographicas constantes per totam superficiem subiectam. Materia et consilium susceptoris diligenter eliguntur ad certas exigentias processus depositionis, sicut temperatura range et compatibilitas chemica.
Beneficia usus susceptores GENEROSUS:
• Consectetur qualitas cinematographica: Praebendo uniformem calorem distribuendum, susceptor adiuvat ut membranas efficiat cum crassitudine et compositione constanti, quae critica est ad faciendas machinas semiconductores.
• Improved process efficientiam: Summus qualitas susceptores augent altiorem efficientiam MOCVD processum minuendo verisimilitudinem defectuum et augendo cessus cinematographicorum utibilis.
• Lifespan et commendatio: Susceptores ex materia durabili facta ut SiC diuturnum tempus firmum obtineant ac sustentationem gratuita minuant.
Susceptator pars integralis est in processu MOCVD et directe afficit depositionis cinematographici qualitatem et efficientiam. Pro magis notitias de magnitudinibus, susceptoribus et pretia MOCVD, placere nobis contactum non dubitamus. Faber noster laetus erit te de congruis materiis monere et omnibus tuis quaestionibus respondere.
Phone: +86-13373889683
WhatsAPP: +86-15957878134
Email: sales01@semi-cera.com
Post tempus: Aug-12-2024