Descriptio
Societas nostra SiC efficiens operas processus per methodum CVD in superficie graphitarum, ceramicorum et aliarum materiarum praebet, ut gasi speciales in caliditate carbonis et siliconis reant, ad altam puritatem SiC molecularum, molecularum in superficie materiarum iactatarum depositarum; formatam SIC tutela iacuit.
Principalis Features
1. Princeps resistentiae oxidationis temperatus: resistentia oxidationis adhuc optima est cum temperatura tam alta quam 1600 C.
2. Puritas alta : factae depositionis vaporis chemicae sub conditione chlorinationis caliditatis.
3. Exesa resistentia: durities alta, superficies compacta, particulae tenuis.
4. Corrosio resistentiae: acidum, alcali, salis et reagentia organica.
Specificationes principales de CVD-SIC Coating
| Sic-CVD Properties | ||
| Crystal Structure | FCC β phase | |
| Density | g/cm | 3.21 |
| duritia | Vickers duritia | 2500 |
| Frumenti Size | μm | 2~10 |
| Puritas chemica | % | 99.99995 |
| Calor Capacitas | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimatio Temperature | ℃ | 2700 |
| Fortitudo Felix | MPa (RT 4-punctum) | 415 |
| Modulus | Gpa (4pt bend, 1300℃) | 430 |
| Scelerisque Expansion (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Scelerisque conductivity | (W/mK) | 300 |
