Descriptio
Societas nostra processus SiC efficiens officia per methodum CVD in superficie graphitarum, ceramicorum et aliarum materiarum praebet, ita ut gasi speciales carbo et silicon in caliditate continentes agunt ad altam puritatem SiC moleculae, moleculae in superficie materiae iactatae depositae; formatam SIC tutela iacuit.
Marisque
1. Princeps resistentiae oxidationis temperatus: resistentia oxidationis adhuc optima est cum temperatura tam alta quam 1600 C.
2. Puritas alta : factae depositionis vaporis chemicae sub conditione chlorinationis caliditatis.
3. Exesa resistentia: durities alta, superficies compacta, particulae tenuis.
4. Corrosio resistentiae: acidum, alcali, salis et reagentia organica.
Specificationes principales de CVD-SIC Coating
| Sic-CVD Properties | ||
| Crystal Structure | FCC β phase | |
| Density | g/cm | 3.21 |
| duritia | Vickers duritia | 2500 |
| Frumenti Size | μm | 2~10 |
| Puritas chemica | % | 99.99995 |
| Calor Capacitas | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimatio Temperature | ℃ | 2700 |
| Fortitudo Felix | MPa (RT 4-punctum) | 415 |
| Modulus | Gpa (4pt bend, 1300℃) | 430 |
| Scelerisque Expansion (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Scelerisque conductivity | (W/mK) | 300 |
